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频率
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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN
京电港自营
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¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
京电港自营
自营
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥7.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 9A ECH8
京电港自营
自营
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ECH8310-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4V，10V
-
28nC @ 10V
1400pF @ 10V
1.5W（Ta）
17 毫欧 @ 4.5A，10V
表面贴装
8-ECH
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A SC88
京电港自营
自营
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NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W（Ta）
67 毫欧 @ 2.9A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥61.38
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO247
京电港自营
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NGTB15N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.5V @ 15V，15A
333W
340µJ（关）
标准
-/170ns
600V，15A，10 欧姆，15V
-40°C ~ 175°C（TJ）
¥4.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
京电港自营
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NPN
NSV1C201LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
100V
2A
490mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
150mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
110MHz
¥0.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
京电港自营
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650MHz
225mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
MMBTH10LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-55°C ~ 150°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 NPN（双）
BC847CDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
京电港自营
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NPN
SBC846ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
110 @ 2mA，5V
100MHz
¥13.74
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
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NPN
MJE3439G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
350V
300mA
15W
-65°C ~ 150°C（TJ）
500mV @ 4mA，50mA
20µA
15 @ 20mA，10V
15MHz
¥40.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 10A TO247
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NPN
TIP33CG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
10A
80W
-65°C ~ 150°C（TJ）
4V @ 2.5A，10A
700µA
20 @ 3A，4V
3MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC124EDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
230mW
-
EMG2DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
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PNP
BCX17LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
620mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
100 @ 100mA，1V
-
¥5.52
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23
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¥27.06
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 10VC 18UDFN
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¥22.95
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 27.5A D2PAK
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NTB25P06T4G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
27.5A（Ta）
10V
4V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 25V
120W（Tj）
82 毫欧 @ 25A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥6.48
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 4A 6UDFN
京电港自营
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NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW（Ta）
29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.92
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 14A DPAK
京电港自营
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SVD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W（Ta），20.8W（Tc）
95 毫欧 @ 5A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5311DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周

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