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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5234DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥11.37
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 10A TP-FA
京电港自营
自营
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PNP
2SA2169-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
10A
950mW
150°C（TJ）
580mV @ 250mA，5A
10µA（ICBO）
200 @ 1A，2V
130MHz
¥3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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2 NPN（双）配对
NST45011MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
京电港自营
自营
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NPN，PNP
NST3946DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz，250MHz
¥3.15
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6320-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.5W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.77
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
SMMBT5401LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
150V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
500mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
60 @ 10mA，5V
300MHz
¥169.08
650V/60A AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT FSII
京电港自营
自营
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NGTB60N65FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
场截止
650V
100A
240A
2V @ 15V，60A
595W
1.59mJ（开），660µJ（关）
标准
117ns/265ns
400V，60A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥11.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 3A TO220AB
京电港自营
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NPN
TIP31G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
3A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
300µA
10 @ 3A，4V
3MHz
¥94.92
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 20A TO3
京电港自营
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PNP
MJ15004G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
140V
20A
250W
-65°C ~ 200°C（TJ）
1V @ 500mA，5A
250µA
25 @ 5A，2V
2MHz
¥10.02
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN
京电港自营
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¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5136DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.51
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
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PNP
BC857CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.49
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
京电港自营
自营
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650MHz
225mW
60 @ 4mA，10V
-
NPN
NSVMMBTH10LT1G
-
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥33.81
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 90V 10A TO-220FP
京电港自营
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PNP
MJF2955G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
90V
10A
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.5V @ 3.3A，10A
1µA
20 @ 4A，4V
2MHz
¥2.34
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
京电港自营
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NPN，PNP
SMBT3946DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz，250MHz
¥49.89
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 289A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS5C604NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
38A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
120nC @ 10V
8900pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
1.2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥4.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 4.9A CHIPFET
京电港自营
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NTHS4166NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.9A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
18nC @ 10V
900pF @ 15V
800mW（Ta）
22 毫欧 @ 4.9A，10V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.32
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 3A DPAK
京电港自营
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NPN
MJD31CT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.2V @ 375mA，3A
50µA
10 @ 3A，4V
3MHz

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