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频率
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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.5A SOT-23
京电港自营
自营
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NTR4503NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
250pF @ 24V
420mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥149.25
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 100A 223W TO247
京电港自营
自营
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NGTB50N60FWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
沟道
600V
100A
200A
1.7V @ 15V，50A
223W
1.1mJ（开），1.2mJ（关）
标准
117ns/285ns
400V，50A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 150°C（TJ）
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
NSB4904DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC144EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
京电港自营
自营
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7GHz
100mW
120 @ 20mA，5V
70mA
NPN
EC3H02BA-TL-H
-
表面贴装
3-ECSP1006
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
¥3.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 0.5A SC59
京电港自营
自营
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NPN
MSD602-RT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
50V
500mA
200mW
150°C（TJ）
600mV @ 30mA，300mA
100nA（ICBO）
120 @ 150mA，10V
-
¥4.44
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 3A PCP
京电港自营
自营
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PNP
2SA2125-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
50V
3A
3.5W
150°C（TJ）
500mV @ 100mA，2A
1µA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
390MHz
¥15.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
京电港自营
自营
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NPN - 达林顿
BD677G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.5V @ 30mA，1.5A
500µA
750 @ 1.5A，3V
-
¥0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
京电港自营
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NPN
BCW33LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
32V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
250mV @ 500µA，10mA
100nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
-
¥67.17
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 12A
京电港自营
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PNP
2SB817C-1E
-
通孔
TO-3P-3L
TO-3P-3，SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
140V
12A
120W
150°C（TJ）
2V @ 500mA，5A
100µA（ICBO）
100 @ 1A，5V
10MHz
¥5.31
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 60V 1A
京电港自营
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2 PNP（双）
NSS60100DMTTBG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
1A
2.27W
300mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
155MHz
¥11.28
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 15VWM 29VC SC74-6
京电港自营
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¥5.22
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 400V 1.7A DPAK
京电港自营
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NDD02N40T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.7A（Tc）
10V
2V @ 250µA
5.5nC @ 10V
121pF @ 25V
39W（Tc）
5.5 欧姆 @ 220mA，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥39.90
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 28A ATPAK
京电港自营
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ATP301-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
28A（Ta）
10V
-
73nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W（Tc）
75 毫欧 @ 14A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.48
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2.5A 6TSOP
京电港自营
自营
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NTGS3446T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
15nC @ 4.5V
750pF @ 10V
500mW（Ta）
45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥103.41
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 50A 600V TO-247
京电港自营
自营
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NGTB50N60S1WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
沟道
600V
100A
200A
2V @ 15V，50A
417W
1.5mJ（开），460µJ（关）
标准
100ns/237ns
400V，50A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC123TDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
BC847CDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5331DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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NPN
SBC846BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz

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