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|
|
PNP |
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|
BCP53-10T1G |
- |
|
|
|
|
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|
|
|
|
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
43 周 |
|
80V |
1.5A |
|
|
1.5W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
500mV @ 50mA，500mA |
100nA（ICBO） |
63 @ 150mA，2V |
50MHz |
|
|
|
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|
|
NPN |
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|
|
MJD200G |
- |
|
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|
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
25V |
5A |
|
|
1.4W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
1.8V @ 1A，5A |
100nA（ICBO） |
45 @ 2A，1V |
65MHz |
|
|
|
|
|
|
PNP - 达林顿 |
|
|
|
|
|
|
|
2N6286G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
通孔 |
TO-3 |
TO-204AA，TO-3 |
托盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
80V |
20A |
|
|
160W |
|
|
|
|
-65°C ~ 200°C（TJ） |
3V @ 200mA，20A |
1mA |
750 @ 10A，3V |
- |
|
|
|
|
|
|
PNP |
|
|
|
|
|
|
|
2N6111G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
通孔 |
TO-220AB |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
30V |
7A |
|
|
40W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
3.5V @ 3A，7A |
1mA |
30 @ 3A，4V |
10MHz |
|
|
|
|
|
|
2 NPN（双） |
|
|
|
|
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|
|
NSVBC847BDW1T2G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
45V |
100mA |
|
|
380mW |
|
|
|
|
|
600mV @ 5mA，100mA |
15nA（ICBO） |
200 @ 2mA，5V |
100MHz |
|
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|
|
|
|
|
|
|
MCH3476-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2A（Ta） |
1.8V，4.5V |
- |
1.8nC @ 4.5V |
128pF @ 10V |
800mW（Ta） |
125 毫欧 @ 1A，4.5V |
表面贴装 |
SC-70FL/MCPH3 |
3-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
NTHD3101FT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.2A（Tj） |
1.8V，4.5V |
1.5V @ 250µA |
7.4nC @ 4.5V |
680pF @ 10V |
1.1W（Ta） |
80 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
表面贴装 |
ChipFET™ |
8-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
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|
|
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|
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|
|
|
|
MCH6421-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.5A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1.3V @ 1mA |
5.1nC @ 4.5V |
410pF @ 10V |
1.5W（Ta） |
38 毫欧 @ 2A，4.5V |
表面贴装 |
SC-88FL/ MCPH6 |
6-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
NGTB20N120LWG |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
通孔 |
TO-247 |
TO-247-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
沟槽型场截止 |
1200V |
40A |
200A |
2.2V @ 15V，20A |
192W |
3.1mJ（开），700µJ（关） |
标准 |
86ns/235ns |
600V，20A，10 欧姆，15V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
50V |
160 @ 5mA，10V |
250mV @ 1mA，10mA |
500nA |
- |
339mW |
- |
NSBC123TPDP6T5G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SOT-963 |
SOT-963 |
标准卷带 |
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
50V |
80 @ 5mA，10V / 20 @ 5mA，10V |
250mV @ 300µA，10mA |
500nA |
- |
500mW |
- |
EMD5DXV6T1G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SOT-563 |
SOT-563，SOT-666 |
标准卷带 |
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.5GHz |
1.3W |
135 @ 50mA，5V |
300mA |
NPN |
|
|
|
|
|
|
|
2SC5551AF-TD-E |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
表面贴装 |
PCP |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
150°C（TJ） |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NPN |
|
|
|
|
|
|
|
BC847BTT1G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
表面贴装 |
SC-75，SOT-416 |
SC-75，SOT-416 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
45V |
100mA |
|
|
225mW |
|
|
|
|
-55°C ~ 150°C（TJ） |
600mV @ 5mA，100mA |
15nA（ICBO） |
200 @ 2mA，5V |
100MHz |
|
|
|
|
|
|
NPN - 达林顿 |
|
|
|
|
|
|
|
MJD122T4G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
100V |
8A |
|
|
1.75W |
|
|
|
|
-65°C ~ 150°C（TJ） |
4V @ 80mA，8A |
10µA |
1000 @ 4A，4V |
4MHz |
|
|
|
|
|
|
PNP |
|
|
|
|
|
|
|
MJB45H11T4G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
80V |
10A |
|
|
2W |
|
|
|
|
-55°C ~ 150°C（TJ） |
1V @ 400mA，8A |
10µA |
40 @ 4A，1V |
40MHz |
|
|
|
|
|
|
NPN |
|
|
|
|
|
|
|
SBC846BWT1G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
表面贴装 |
SC-70-3（SOT323） |
SC-70，SOT-323 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
65V |
100mA |
|
|
150mW |
|
|
|
|
-55°C ~ 150°C（TJ） |
600mV @ 5mA，100mA |
15nA（ICBO） |
200 @ 2mA，5V |
100MHz |
|
|
|
|
|
|
NPN，PNP |
|
|
|
|
|
|
|
MBT3946DW1T1G |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
40V |
200mA |
|
|
150mW |
|
|
|
|
|
300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
- |
100 @ 10mA，1V |
300MHz，250MHz |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NTMS4816NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.8A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
18.3nC @ 10V |
1060pF @ 25V |
780mW（Ta） |
10 毫欧 @ 9A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
|
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|
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|
|
|
|
|
|
|
|
|
