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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥4.59
自营
NTMFS4C13NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW(Ta)
9.1 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMC2NT1G
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6.7GHz
800mW
90 @ 30mA,5V
100mA
NPN
2SC5415AE-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
150°C(TJ)
NGTB15N120IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1200V
30A
120A
2.2V @ 15V,15A
156W
560µJ(关)
标准
-/165ns
600V,15A,15 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
MMBTA06LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5316DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥5.67
自营
PNP
2SB1124T-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
50V
3A
500mW
150°C(TJ)
700mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
150MHz
NPN - 达林顿
TIP102G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
100V
8A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 80mA,8A
50µA
1000 @ 3A,4V
-
PNP
NSV40200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
40V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
220 @ 500mA,2V
100MHz
2 NPN(双)
NST3904DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
5HP01M-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
70mA(Ta)
4V,10V
-
1.32nC @ 10V
6.2pF @ 10V
150mW(Ta)
22 欧姆 @ 40mA,10V
表面贴装
3-MCP
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTS2101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.4A(Ta)
1.8V,4.5V
700mV @ 250µA
6.4nC @ 5V
640pF @ 8V
290mW(Ta)
100 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥3.00
自营
CPH3351-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6nC @ 10V
262pF @ 20V
1W(Ta)
250 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
4.5GHz
200mW
100 @ 10mA,5V
70mA
NPN
55GN01CA-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
150°C(TJ)
¥7.95
自营
NGTB03N60R2DT4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
-
600V
9A
12A
2.1V @ 15V,3A
49W
50µJ(开),27µJ(关)
标准
27ns/59ns
300V,3A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
NPN
MMBT3904LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
40V
200mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC114EPDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
PNP
12A02MH-TL-E
-
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
12V
1A
600mW
150°C(TJ)
240mV @ 20mA,400mA
100nA(ICBO)
300 @ 10mA,2V
450MHz
NPN
BD137G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
1.5A
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
-
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