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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NPN
SBC846ALT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
110 @ 2mA,5V
100MHz
NPN
MJE3439G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
350V
300mA
15W
-65°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 4mA,50mA
20µA
15 @ 20mA,10V
15MHz
NPN
TIP33CG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
10A
80W
-65°C ~ 150°C(TJ)
4V @ 2.5A,10A
700µA
20 @ 3A,4V
3MHz
NTD4858NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.2A(Ta),73A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W(Ta),54.5W(Tc)
6.2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5333DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式
50V
-
250mV @ 1mA,10mA / 250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
350mW
-
NUS2401SNT1
-
SC-74
SC-74,SOT-457
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
BC846BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
¥3.15
自营
MCH6320-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.5W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥169.08
自营
NGTB60N65FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
场截止
650V
100A
240A
2V @ 15V,60A
595W
1.59mJ(开),660µJ(关)
标准
117ns/265ns
400V,60A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
PNP
2N6111G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
30V
7A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3.5V @ 3A,7A
1mA
30 @ 3A,4V
10MHz
2 NPN(双)
NSVBC847BDW1T2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
PZT751T1G
-
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
60V
2A
800mW
150°C(TJ)
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
75 @ 1A,2V
75MHz
NPN
2SC6017-E
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
10A
950mW
150°C(TJ)
360mV @ 250mA,5A
10µA(ICBO)
200 @ 1A,2V
200MHz
PNP - 达林顿
MJ11021G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
250V
15A
175W
-65°C ~ 200°C(TJ)
3.4V @ 150mA,15A
1mA
400 @ 10A,5V
-
¥86.67
自营
NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
19A(Ta),132A(Tc)
6V,10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W(Ta),165W(Tc)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
EMD5DXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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