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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
¥7.50
自营
NTTFS5826NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
850pF @ 25V
3.1W(Ta),19W(Tc)
24 毫欧 @ 7.5A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥71.70
自营
NDPL180N10BG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
180A(Ta)
10V,15V
4V @ 1mA
95nC @ 10V
6950pF @ 50V
2.1W(Ta),200W(Tc)
3 毫欧 @ 15V,50A
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10GHz
450mW
60 @ 50mA,5V
100mA
NPN
MCH4015-TL-H
-
表面贴装
4-MCPH
4-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
150°C(TJ)
¥4.62
自营
NTLJS3113PT1G
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
15.7nC @ 4.5V
1329pF @ 16V
700mW(Ta)
40 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114TDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5111DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN
BC847CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
300mW
100MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5215DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP
2SA2153-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2A
50V
400mV @ 50mA,1A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.3W
420MHz
150°C(TJ)
NPN
BD441G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
4A
80V
800mV @ 300mA,3A
100µA(ICBO)
40 @ 500mA,1V
36W
3MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
MJ21194G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
16A
250V
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
250W
4MHz
-65°C ~ 200°C(TJ)
PNP
MJE15031G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
8A
150V
500mV @ 100mA,1A
100µA
20 @ 4A,2V
50W
30MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
2 NPN(双)
SNST3904DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
500mW
300MHz
¥2.07
自营
NTR5198NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.7A(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
182pF @ 25V
900mW(Ta)
155 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥7.56
自营
NTMS4920NR2G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10.6A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
58.9nC @ 10V
4068pF @ 25V
820mW(Ta)
4.3 毫欧 @ 7.5A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 PNP(双)
BC858CDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
30V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
¥3.69
自营
NDDL01N60ZT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
800mA(Ta)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
26W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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