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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥4.05
自营
NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Tj)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW(Ta)
70 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥11.37
自营
NVD5863NLT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
14.9A(Ta),82A(Tc)
4.5V,10V
3V @ 250µA
70nC @ 10V
3850pF @ 25V
3.1W(Ta),96W(Tc)
7.1 毫欧 @ 41A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥3.30
自营
SCH1433-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150MHz
200mW
70 @ 1mA,10V
30mA
NPN
MSC2295-BT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
¥81.24
自营
NGTG25N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1200V
50A
100A
2.4V @ 15V,25A
385W
1.95mJ(开),600µJ(关)
标准
87ns/179ns
600V,25A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
NPN
MMBTA06LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
80V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
100MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
PNP
NSS12100M3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
12V
1A
625mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
410mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
120 @ 500mA,2V
-
NPN - 达林顿
MJD112-1G
-
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
2A
1.75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,4A
20µA
1000 @ 2A,3V
25MHz
NPN
2N5686G
-
通孔
TO-3
TO-204AE
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
80V
50A
300W
-65°C ~ 200°C(TJ)
5V @ 10A,50A
1mA
15 @ 25A,2V
2MHz
PNP
NJW1302G
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
250V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 800mA,8A
50µA(ICBO)
75 @ 3A,5V
30MHz
2 NPN(双)
CPH6532-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
1A
1.1W
190mV @ 10mA,500mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
420MHz
NDF11N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Tc)
10V
4.5V @ 100µA
69nC @ 10V
1645pF @ 25V
39W(Tc)
520 毫欧 @ 4.5A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥38.31
自营
ATP104-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
75A(Ta)
4.5V,10V
-
76nC @ 10V
3950pF @ 10V
60W(Tc)
8.4 毫欧 @ 38A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 NPN(四路)
MMPQ2222AR1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
500mA
1W
1V @ 50mA,500mA
50nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
350MHz
¥5.37
自营
NTMFS4926NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW(Ta),21.6W(Tc)
7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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