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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
原厂标准交货期
产品型号
系列
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥9.51
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOT353
京电港自营
自营
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¥96.72
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO247-3
京电港自营
自营
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NGTB15N120FLWG
-
-
1200V
30A
120A
2.2V @ 15V，15A
156W
1.17mJ（开），550µJ（关）
标准
72ns/168ns
600V，15A，10 欧姆，15V
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.34
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
京电港自营
自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
800mW（Ta）
295 毫欧 @ 800mA，10V
4 周
MCH3375-TL-W
-
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 250V 3A DPAK
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W（Ta）, 26W（Tc）
2.4 欧姆 @ 1.5A，10V
15 周
SFT1452-TL-W
-
表面贴装
DPAK/TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥16.47
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 5A TP
京电港自营
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NPN
2 周
2SC5706-E
-
50V
5A
800mW
150°C（TJ）
通孔
TP
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
240mV @ 100mA，2A
1µA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
400MHz
¥1.41
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563
京电港自营
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2 NPN（双）
2 周
SBC847CDXV6T1G
-
45V
100mA
500mW
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.25
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 2A SOT-23
京电港自营
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PNP
13 周
NSS20200LT1G
-
20V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
180mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
250 @ 500mA，2V
100MHz
¥13.08
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 3A TO225AA
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NPN
18 周
MJE182G
-
80V
3A
1.5W
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.7V @ 600mA，3A
100nA（ICBO）
50 @ 100mA，1V
50MHz
¥98.52
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 30A TO3
京电港自营
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NPN
2 周
2N5302G
-
60V
30A
200W
-65°C ~ 200°C（TJ）
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3V @ 6A，30A
5mA
15 @ 15A，2V
2MHz
¥1.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
339mW
-
14 周
NSBC143EPDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
京电港自营
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PNP
2 周
BC808-25LT1G
-
25V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
700mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
160 @ 100mA，1V
100MHz
¥5.25
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3VWM 8VC SOT23
京电港自营
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¥16.53
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC SC74
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¥17.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V IPAK
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.2A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
10.1nC @ 10V
274pF @ 25V
57W（Tc）
4.8 欧姆 @ 1A，10V
28 周
NDD02N60Z-1G
-
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.64
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.1A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 4.5V
2900pF @ 24V
860mW（Ta）
6.1 毫欧 @ 14.8A，10V
4 周
NTMS4807NR2G
-
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 0.25A SOT223-4
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
250mA（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W（Tc）
15 欧姆 @ 400mA，10V
10 周
NDTL01N60ZT3G
-
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥74.79
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 70A 300W TO247
京电港自营
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8 周
NGTB30N65IHL2WG
-
沟槽型场截止
650V
60A
120A
2.2V @ 15V，30A
300W
200µJ（关）
标准
-/145ns
400V，30A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 3.5V 15MA ECSP1008-4
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24GHz
50mW
70 @ 5mA，1V
15mA
NPN
EC4H08C-TL-H
-
150°C（TJ）
表面贴装
4-ECSP1008
4-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
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NPN - 达林顿
8 周
MMBTA13LT1G
-
30V
300mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.5V @ 100µA，100mA
100nA（ICBO）
10000 @ 100mA，5V
125MHz

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