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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
NPN,PNP
MBT3946DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz,250MHz
7 NPN 达林顿
MC1413PG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
-
NPN
MMBT5089LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
50mA
25V
500mV @ 1mA,10mA
50nA(ICBO)
400 @ 100µA,5V
300mW
50MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
2SB1202S-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
3A
50V
700mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
140 @ 100mA,2V
1W
150MHz
150°C(TJ)
NPN
D44H8G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
10A
60V
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
2W
50MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥6.48
自营
NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW(Ta)
29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.92
自营
SVD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC114EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5311DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,40V
80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
500nA
250MHz
500mW
-
NSTB1002DXV5T1
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥86.67
自营
NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
19A(Ta),132A(Tc)
6V,10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W(Ta),165W(Tc)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
PNP
MJD2955G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
10A
60V
8V @ 3.3A,10A
50µA
20 @ 4A,4V
1.75W
2MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 PNP(双)
MBT3906DW1T2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
200mA
40V
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
250MHz
1.5GHz
200mW
100 @ 10mA,5V
70mA
NPN
15GN03CA-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
150°C(TJ)
PNP
NSS40200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
2A
40V
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
220 @ 500mA,2V
460mW
100MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
2N4922G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
1A
60V
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
30W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN - 达林顿
2N6284G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
20A
100V
3V @ 200mA,20A
1mA
750 @ 10A,3V
160W
-
-65°C ~ 200°C(TJ)
¥3.15
自营
MCH6320-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.5W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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