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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
EMD5DXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
BC847BTT1G
-
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
45V
100mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
8GHz
150mW
0.95 @ 10mA,5V
30mA
NPN
FH105A-TR-E
-
表面贴装
6-MCP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
¥49.89
自营
NTMFS5C604NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
38A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
120nC @ 10V
8900pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
1.2 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
NTHS4166NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.9A(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
18nC @ 10V
900pF @ 15V
800mW(Ta)
22 毫欧 @ 4.9A,10V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
NGD8201NT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
440V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
NPN
SBC846BWT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
65V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
NPN,PNP
MBT3946DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz,250MHz
¥22.95
自营
NTB25P06T4G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
27.5A(Ta)
10V
4V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 25V
120W(Tj)
82 毫欧 @ 25A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
7 NPN 达林顿
MC1413PG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
NPN
MMBT5089LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
25V
50mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 1mA,10mA
50nA(ICBO)
400 @ 100µA,5V
50MHz
PNP
2SB1202S-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
50V
3A
1W
150°C(TJ)
700mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
140 @ 100mA,2V
150MHz
NPN
D44H8G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
60V
10A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
50MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC114EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,40V
80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
500nA
250MHz
500mW
-
NSTB1002DXV5T1
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
自营
MCH3475-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW(Ta)
180 毫欧 @ 900mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥117.24
自营
NGTB40N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
沟槽型场截止
1200V
80A
120A
2.55V @ 15V,40A
384W
950µJ(关)
标准
-/230ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
对比栏

1

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2

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3

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4

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