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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NPN
D44H8G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
60V
10A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
50MHz
2 PNP(双)
NSVT45010MW6T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC114EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,40V
80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
500nA
250MHz
500mW
-
NSTB1002DXV5T1
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
自营
MCH3475-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW(Ta)
180 毫欧 @ 900mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥117.24
自营
NGTB40N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
沟槽型场截止
1200V
80A
120A
2.55V @ 15V,40A
384W
950µJ(关)
标准
-/230ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
NTR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥6.00
自营
NVD3055L170T4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
5V
2V @ 250µA
10nC @ 5V
275pF @ 25V
1.5W(Ta),28.5W(Tj)
170 毫欧 @ 4.5A,5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
PNP
NSS40200LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
40V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
220 @ 500mA,2V
100MHz
¥11.37
自营
PNP
2SA2169-TL-E
-
表面贴装
2-TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
10A
950mW
150°C(TJ)
580mV @ 250mA,5A
10µA(ICBO)
200 @ 1A,2V
130MHz
NPN
2N4922G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
1A
30W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
3MHz
2 NPN(双)配对
NST45011MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
NPN - 达林顿
2N6284G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
20A
160W
-65°C ~ 200°C(TJ)
3V @ 200mA,20A
1mA
750 @ 10A,3V
-
NPN,PNP
NST3946DXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz,250MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143ZPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114TDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA114YDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
BCW68GLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
800mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 30mA,300mA
20nA
120 @ 10mA,1V
100MHz
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