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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥5.01
自营
NTD4813NHT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.6A(Ta),40A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
10nC @ 4.5V
940pF @ 12V
1.27W(Ta),35.3W(Tc)
13 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5230DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVB124XPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
650MHz
265mW
60 @ 4mA,10V
-
NPN
MMBTH10M3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
MMBT4401LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
750mV @ 50mA,500mA
-
100 @ 150mA,1V
250MHz
PNP
50A02CH-TL-E
-
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
50V
500mA
700mW
150°C(TJ)
120mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
200 @ 10mA,2V
690MHz
NPN
TIP31AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
3A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
300µA
10 @ 3A,4V
3MHz
NPN
MJ15003G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
140V
20A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
1V @ 500mA,5A
250µA
25 @ 5A,2V
2MHz
NPN - 达林顿
BDX53CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
100V
8A
65W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 12mA,3A
500µA
750 @ 3A,3V
-
2 PNP(双)
NST65010MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
65V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
¥3.30
自营
MCH6342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W(Ta)
73 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.67
自营
NVD5807NT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
23A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
20nC @ 10V
603pF @ 25V
33W(Tc)
31 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥3.18
自营
NTTFS4C10NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.2A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
18.6nC @ 10V
993pF @ 15V
790mW(Ta), 23.6W(Tc)
7.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥216.42
自营
NGTB40N120FL2WG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
沟槽型场截止
1200V
80A
200A
2.4V @ 15V,40A
535W
3.4mJ(开),1.1mJ(关)
标准
116ns/286ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC143EPDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6.7GHz
800mW
90 @ 30mA,5V
100mA
NPN
CPH6001A-TL-E
-
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
150°C(TJ)
NPN
BCW72LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 500µA,10mA
100nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
300MHz
PNP
ECH8102-TL-H
-
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
30V
12A
1.6W
150°C(TJ)
135mV @ 300mA,6A
100nA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
140MHz
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