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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114YDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10GHz
350mW
60 @ 5mA,5V
30mA
NPN
MCH4014-TL-H
-
表面贴装
4-MCPH
4-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C(TJ)
¥61.38
自营
NGTB15N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.5V @ 15V,15A
333W
340µJ(关)
标准
-/170ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
PNP
BC858CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5335DW1T2G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.15
自营
PNP
NSS35200MR6T1G
-
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
35V
2A
625mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
310mV @ 20mA,2A
100nA
100 @ 1.5A,1.5V
100MHz
NPN - 达林顿
TIP110G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
2A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 8mA,2A
2mA
1000 @ 1A,4V
-
PNP
MJ21193G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
250V
16A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
NPN
MJF44H11G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
80V
10A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 400mA,8A
1µA
40 @ 4A,1V
50MHz
2 NPN(双)
NSVT3904DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
500mW
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
¥16.20
自营
NTB5605PT4G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
18.5A(Ta)
5V
2V @ 250µA
22nC @ 5V
1190pF @ 25V
88W(Tc)
140 毫欧 @ 8.5A,5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥6.48
自营
NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW(Ta)
29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.92
自营
SVD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMG2DXV5T5
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5311DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 达林顿
MMBTA14LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
300mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 100µA,100mA
100nA(ICBO)
20000 @ 100mA,5V
125MHz
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC114YDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP
MJD45H11RLG
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
80V
8A
1.75W
-55°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 400mA,8A
1µA
40 @ 4A,1V
90MHz
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