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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
产品系列
逻辑类型
输出类型
每元件位数
功能
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装类型
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
封装/外壳
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EDXV6T1
SOT-563
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
SOT-563,SOT-666
650MHz
225mW
90 @ 1mA,6V
-
NPN
MSD2714AT1G
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SC-59
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138LT1G
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PNP
MMBT3906TT1G
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
-
SC-75,SOT-416
40V
200mA
200mW
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
¥5.52
自营
NTD3055-150T4G
表面贴装
DPAK
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
10V
4V @ 250µA
15nC @ 10V
280pF @ 25V
1.5W(Ta),28.8W(Tj)
150 毫欧 @ 4.5A,10V
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
PNP
2SA2202-TD-E
150°C(TJ)
表面贴装
PCP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
-
TO-243AA
100V
2A
1.3W
240mV @ 100mA,1A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,5V
300MHz
¥3.24
自营
CPH6337-TL-W
表面贴装
6-CPH
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.6W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PNP
2SA2039-E
150°C(TJ)
通孔
TP
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
50V
5A
800mW
430mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
360MHz
NGTB15N60EG
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
TO-220-3
NPT
600V
30A
120A
1.95V @ 15V,15A
117W
900µJ(开),300µJ(关)
标准
78ns/130ns
400V,15A,22 欧姆,15V
NPN
BC850BLT1G
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
45V
100mA
225mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5333DW1T3G
SC-88/SC70-6/SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
PNP
MJ2955G
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
TO-204AA,TO-3
60V
15A
115W
3V @ 3.3A,10A
700µA
20 @ 4A,4V
2.5MHz
¥4.05
自营
2 PNP(双)
NSVT45010MW6T1G
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
¥4.83
自营
MC74LV594ADR2G
74LV
移位寄存器
推挽式
8
串行至并行
-55°C ~ 125°C
表面贴装
16-SOIC
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
2 NPN(双)
BC847CDXV6T5
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5312DW1T1
SC-88/SC70-6/SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
¥7.14
自营
NTMFS4821NT1G
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.8A(Ta),58.5A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
16nC @ 4.5V
1400pF @ 12V
870mW(Ta),38.5W(Tc)
6.95 毫欧 @ 30A,10V
8-PowerTDFN,5 引线
NPN
SBC817-40LT1G
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
45V
500mA
300mW
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
250 @ 100mA,1V
100MHz
¥38.10
自营
2SK3703-1E
通孔
TO-220F-3SG
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
30A(Ta)
4V,10V
-
40nC @ 10V
1780pF @ 20V
2W(Ta),25W(Tc)
26 毫欧 @ 15A,10V
TO-220-3 整包
对比栏

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