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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥86.67
自营
NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
19A(Ta),132A(Tc)
6V,10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W(Ta),165W(Tc)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NTR3C21NZT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.6A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
17.8nC @ 4.5V
1540pF @ 16V
470mW(Ta)
24 毫欧 @ 5A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
2 PNP(双)
BC858CDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30V
100mA
500mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
SFT1452-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W(Ta), 26W(Tc)
2.4 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5332DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5333DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
PNP
NST3906F3T5G
-
表面贴装
SOT-1123
SOT-1123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
40V
200mA
290mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
2 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式
50V
-
250mV @ 1mA,10mA / 250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
350mW
-
NUS2401SNT1
-
SC-74
SC-74,SOT-457
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
MJE344G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 5mA,50mA
1mA
30 @ 50mA,10V
15MHz
NPN - 达林顿
TIP141G
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
80V
10A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,10A
2mA
1000 @ 5A,4V
-
NPN
2N5657G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
350V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C(TJ)
10V @ 100mA,500mA
100µA
30 @ 100mA,10V
10MHz
7 NPN 达林顿
MC1413DR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW(Ta)
100 毫欧 @ 3.5A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥12.69
自营
SFT1445-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
19nC @ 10V
1030pF @ 20V
1W(Ta),35W(Tc)
111 毫欧 @ 8.5A,10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥3.90
自营
NTMFS4C10NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.2A(Ta)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
9.7nC @ 4.5V
987pF @ 15V
750mW(Ta),23.6W(Tc)
6.95 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2GHz
200W
25 @ 3mA,1V
50mA
NPN
MPS5179RLRAG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
NGTB15N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.4V @ 15V,15A
294W
1.2mJ(开),370µJ(关)
标准
64ns/132ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
PNP
BC808-25LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
25V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
160 @ 100mA,1V
100MHz
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