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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NTD4815N-35G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6.9A(Ta),35A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
14.1nC @ 11.5V
770pF @ 12V
1.26W(Ta),32.6W(Tc)
15 毫欧 @ 30A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线,IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NTHS4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tj)
1.8V,4.5V
1.5V @ 250µA
35nC @ 4.5V
2100pF @ 16V
1.3W(Ta)
34 毫欧 @ 4.8A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.62
自营
MCH6431-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
5.6nC @ 10V
280pF @ 10V
1.5W(Ta)
55 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
NGD8205NT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5331DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
650MHz
225mW
90 @ 1mA,6V
-
NPN
MSD2714AT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
MMBT3906TT1G
-
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
40V
200mA
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
PNP
2SA2202-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
2A
1.3W
150°C(TJ)
240mV @ 100mA,1A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,5V
300MHz
PNP
2SA2039-E
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
5A
800mW
150°C(TJ)
430mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
200 @ 500mA,2V
360MHz
NPN
BC850BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
MJ2955G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
15A
115W
-65°C ~ 200°C(TJ)
3V @ 3.3A,10A
700µA
20 @ 4A,4V
2.5MHz
¥4.05
自营
2 PNP(双)
NSVT45010MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW(Ta)
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥7.56
自营
ATP112-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
25A(Ta)
4V,10V
-
33.5nC @ 10V
1450pF @ 20V
40W(Tc)
43 毫欧 @ 13A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥3.84
自营
CPH3362-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
700mA(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
3.7nC @ 10V
142pF @ 20V
1W(Ta)
1.7 欧姆 @ 700mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NGTB25N120IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
-
1200V
50A
200A
2.3V @ 15V,25A
192W
800µJ(关)
标准
-/235ns
600V,25A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5231DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
2 NPN(双)
BC847CDXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
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