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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5136DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.26
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP
京电港自营
自营
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-
-
-
-
-
15GN03FA-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
¥10.26
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3.3VWM 10VC
京电港自营
自营
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¥0.42
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
京电港自营
自营
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PNP
MMBT4403LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
750mV @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，2V
200MHz
¥236.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 9A TO3PF-3
京电港自营
自营
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NDUL09N150CG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
10V
4V @ 1mA
114nC @ 10V
2025pF @ 30V
3W（Ta），78W（Tc）
3 欧姆 @ 3A，10V
TO-3PF-3
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.40
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 0.05A SOT-223
京电港自营
自营
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PNP
BF721T1G
-
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
300V
50mA
1.5W
-65°C ~ 150°C（TJ）
800mV @ 5mA，30mA
10nA（ICBO）
50 @ 25mA，20V
60MHz
¥2.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 300MA SOT-23
京电港自营
自营
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MMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW（Ta）
1 欧姆 @ 300mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥13.08
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 3A TO225AA
京电港自营
自营
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NPN
MJE181G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
3A
1.5W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.7V @ 600mA，3A
100nA（ICBO）
50 @ 100mA，1V
50MHz
¥106.65
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 40A 384W TO247
京电港自营
自营
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NGTB20N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
沟槽型场截止
1200V
40A
120A
2.45V @ 15V，20A
384W
450µJ（关）
标准
-/235ns
600V，20A，10 欧姆，15V
-40°C ~ 175°C（TJ）
¥99.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 250V 15A TO247
京电港自营
自营
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PNP - 达林顿
MJH11021G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
250V
15A
150W
-65°C ~ 150°C（TJ）
4V @ 150mA，15A
1mA
400 @ 10A，5V
3MHz
¥0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5316DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥20.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB
京电港自营
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PNP - 达林顿
BDX54BG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
8A
65W
-65°C ~ 150°C（TJ）
2V @ 12mA，3A
500µA
750 @ 3A，3V
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5137DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.71
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
NST65011MW6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
65V
100mA
380mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
¥9.78
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5VWM 12.5VC SC88
京电港自营
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询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.12
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP
京电港自营
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1.7GHz
100mW
80 @ 3mA，2V
50mA
NPN
2SC5536A-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
150°C（TJ）
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.3A SO8FL
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NTMFS4943NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.3A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
20.9nC @ 10V
1401pF @ 15V
910mW（Ta），22.3W（Tc）
7.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.75
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
京电港自营
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PNP
SMMBT2907ALT3G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.6V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
200MHz
¥11.49
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V SO8FL
京电港自营
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NTMFS5C456NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
4.5V，10V
2V @ 250µA
18nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.6W（Ta）, 55W（Tc）
3.7 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周

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