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频率
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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥10.26
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 4VWM 9VC SC74-6
京电港自营
自营
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¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
京电港自营
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NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A CPH3
京电港自营
自营
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CPH3356-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
3.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
1W（Ta）
137 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
BC858CDW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30V
100mA
380mW
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥110.46
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 100A TO247
京电港自营
自营
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NGTB25N120FL3WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
沟槽型场截止
1200V
100A
100A
2.4V @ 15V，25A
349W
1mJ（开），700µJ（关）
标准
15ns/109ns
600V，25A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124XPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.75
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5133DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥1.41
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
京电港自营
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PNP
SBC857BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
100MHz
¥14.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 300V 0.5A TO225AA
京电港自营
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NPN
MJE340G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
300V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
100µA（ICBO）
30 @ 50mA，10V
-
¥82.98
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 260V 15A TO264
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NPN
MJL3281AG
-
通孔
TO-264
TO-264-3，TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3V @ 1A，10A
50µA（ICBO）
75 @ 5A，5V
30MHz
¥13.98
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 5A TP
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PNP
2SB1202S-E
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
5A
1W
150°C（TJ）
0.7mV @ 100mA，2A
1µA（ICBO）
140 @ 100mA，2V
150MHz
¥0.48
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88
京电港自营
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NPN，PNP
BC847BPDW1T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
100mA
380mW
600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
¥10.77
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 5.5VWM 10VC SC70-6
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¥4.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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NTLJF3117PT1G
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.3A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
6.2nC @ 4.5V
531pF @ 10V
710mW（Ta）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 23A WDFN8
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NTTFS5C453NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Ta），107A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 63µA
35nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.3W（Ta）, 68W（Tc）
3 毫欧 @ 40A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6443-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W（Ta）
37 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA144EDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
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150MHz
200mW
110 @ 1mA，10V
30mA
NPN
MSC2295-CT1
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
¥82.62
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 60A 384W TO247
京电港自营
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NGTB30N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
沟槽型场截止
1200V
60A
120A
2.5V @ 15V，30A
384W
700µJ（关）
标准
-/230ns
600V，30A，10 欧姆，15V
-40°C ~ 175°C（TJ）
¥0.60
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.5A SC-70
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PNP
BC807-25WT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
45V
500mA
460mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
700mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
160 @ 100mA，1V
100MHz

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