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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
TIG062E8-TL-H
-
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400V
-
150A
8V @ 3V,100A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
¥3.15
自营
PNP
NSS35200MR6T1G
-
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
35V
2A
625mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
310mV @ 20mA,2A
100nA
100 @ 1.5A,1.5V
100MHz
NPN - 达林顿
TIP110G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
2A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 8mA,2A
2mA
1000 @ 1A,4V
-
PNP
MJ21193G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
250V
16A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
¥11.70
自营
NTTFS5C670NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta),70A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 53µA
20nC @ 10V
1400pF @ 25V
3.2W(Ta),63W(Tc)
6.5 毫欧 @ 35A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5112DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123JDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
BC857CWT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
45V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
24GHz
50mW
70 @ 5mA,1V
15mA
NPN
EC4H08C-TL-H
-
表面贴装
4-ECSP1008
4-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
NPN - 达林顿
MMBTA13LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
300mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 100µA,100mA
100nA(ICBO)
10000 @ 100mA,5V
125MHz
PNP
MJ15016G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
120V
15A
115W
-65°C ~ 200°C(TJ)
5V @ 7A,15A
100µA
10 @ 4A,2V
18MHz
2 NPN(双)
CPH6501-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
1.5A
1.2W
225mV @ 15mA,750mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
500MHz
¥3.00
自营
MCH3377-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
83 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥7.56
自营
TIG065E8-TL-H
-
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
-
400V
-
150A
7V @ 2.5V,100A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
NPN - 达林顿
MMBTA14LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
300mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 100µA,100mA
100nA(ICBO)
20000 @ 100mA,5V
125MHz
PNP
MJD45H11RLG
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
80V
8A
1.75W
-55°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 400mA,8A
1µA
40 @ 4A,1V
90MHz
PNP
2N6491G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
80V
15A
1.8W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3.5V @ 5A,15A
1mA
20 @ 5A,4V
5MHz
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