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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
7GHz
100mW
135 @ 20mA,5V
70mA
NPN
2SC5231A-9-TL-E
-
表面贴装
SMCP
3-SMD,鸥翼型
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
NPN
MMBT5550LT3G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
140V
600mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 5mA,50mA
100nA
60 @ 10mA,5V
-
NPN
MJD31CRLG
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
50µA
10 @ 3A,4V
3MHz
PNP
BD242CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
100V
3A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 600mA,3A
300µA
25 @ 1A,4V
3MHz
PNP
SMMBTA92LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
300V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 2mA,20mA
250nA(ICBO)
25 @ 30mA,10V
50MHz
PNP - 达林顿
MJH11019G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
200V
15A
150W
-65°C ~ 150°C(TJ)
4V @ 150mA,15A
1mA
400 @ 10A,5V
3MHz
2 PNP(双)
NSS40300MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
3A
653mW
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
100MHz
¥5.73
自营
NTD3055L170T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
5V
2V @ 250µA
10nC @ 5V
275pF @ 25V
1.5W(Ta),28.5W(Tj)
170 毫欧 @ 4.5A,5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥34.86
自营
ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4.5V,10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W(Tc)
6.5 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.05
自营
NTLUS3A90PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NGD8205NT4
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
125W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA123TDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
NPN,PNP
BC847BPDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
NST3904F3T5G
-
表面贴装
SOT-1123
SOT-1123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
290mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
200MHz
PNP - 达林顿
MJD117G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
2A
1.75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,4A
20µA
1000 @ 2A,3V
25MHz
PNP
MJW1302AG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
230V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
50 @ 7A,5V
30MHz
PNP
BD138G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
60V
1.5A
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
-
2 PNP(双)配对
NST30010MXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
30V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
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