|
|
IS42S32160F-7TLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （16M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS25LQ040B-JNLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
4Mb （512K x 8） |
800µs |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS42S32400F-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
128Mb （4M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS41LV16100C-50TLI |
- |
易失 |
DRAM |
DRAM - EDO |
16Mb （1M x 16） |
- |
25ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS25LQ025B-JKLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Kb （32K x 8） |
800µs |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
8-WSON（6x5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS43DR16128C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
2Gb （128M x 16） |
15ns |
400ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TC） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS39LV010-70VCE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
1Mb （128K x 8） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） |
32-VSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS42S16320F-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
512Mb （32M x 16） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS61WV102416BLL-10TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb （1M x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS62C256AL-45ULI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
256Kb （32K x 8） |
45ns |
45ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
28-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS42S83200J-7TLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （32M x 8） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS43DR86400E-25DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
512Mb （64M x 8） |
15ns |
400ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA（10.5x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS61WV5128BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （512K x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
36-MBGA |
36-迷你型BGA（8x10） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS43DR16160B-37CBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
256Mb （16M x 16） |
15ns |
500ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS43DR16640B-3DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
450ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
IS61WV102416DBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb （1M x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS61WV10248EDBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （1M x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS43DR16128B-25EBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
2Gb （128M x 16） |
15ns |
400ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（10.5x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS62C256AL-45ULI-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
256Kb （32K x 8） |
45ns |
45ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
28-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
