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不同If时的电压-正向 （Vf）
速度
工作温度-结
安装类型
原产地
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
产品系列
不同 Vr，F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
不同 Vr，F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥1.08
Diodes TVS 二极管 DIODE 5VWM 7.2VC SOD323
京电港自营
自营
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¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
DMN61D8L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V，5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
±12V
-
390mW（Ta）
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
¥4.89
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 1.5A SOT23-3
京电港自营
自营
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-
表面贴装
-
FMMT620TA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.5A
80V
200mV @ 50mA，1.5A
100nA
300 @ 200mA，2V
625mW
160MHz
¥10.80
Diodes TVS 二极管 DIODE 7.78VWM 13.4VC DO201A
京电港自营
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¥17.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
ZVN2110A
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
4 欧姆 @ 1A，10V
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE
京电港自营
自营
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-
通孔
-
ZTX658
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
500mA
400V
500mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
50 @ 100mA，5V
1W
50MHz
询价
Diodes 变容器，可变电抗器 DIODE VAR CAP 95PF 12V SOD-323
京电港自营
自营
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单一
表面贴装
-
ZMV934TA
SOD-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
25pF @ 4V，50MHz
-
-
12V
80 @ 4V，50MHz
SC-76，SOD-323
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
DMP2021UFDF-7
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±8V
-
730mW（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
¥6.12
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 3A SOT-89
京电港自营
自营
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-
表面贴装
-
FCX619TA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3A
50V
320mV @ 100mA，2.75A
100nA
100 @ 2A，2V
2W
165MHz
¥10.59
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V SOT963
京电港自营
自营
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-
表面贴装
-
DMC31D5UDJ-7B
SOT-963
SOT-963
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
350mW
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
220mA，200mA
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.38nC @ 4.5V
22.6pF @ 15V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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-
DDTA113ZUA-7-F
PNP - 预偏压
10k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
100mA
1k
33 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
¥1.95
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
京电港自营
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-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
DMN601WKQ-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
¥1.14
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
京电港自营
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-
表面贴装
-
BC817-40W-7
NPN
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
500mA
45V
700mV @ 50mA，500mA
100nA
250 @ 100mA，1V
200mW
100MHz
¥8.79
Diodes TVS 二极管 DIODE 14VWM 23.2VC SMB
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¥2.58
Diodes TVS 二极管 DIODE 5.5VWM 12VC SOT563
京电港自营
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¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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DCX143EH-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
4.7k
4.7k
20 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.89
Diodes Incorporated MMBZ5252BS-7-F
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*
MMBZ5252BS-7-F
卷带（TR）
询价
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 13V 300MW SOT23-3
京电港自营
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±3%
100nA @ 10V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
DDZX13B-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥2.04
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3
京电港自营
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肖特基
750mA
490mV @ 750mA
100µA @ 30V
-55°C ~ 125°C
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
表面贴装
-
BAT750-7-F
SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
175pF @ 0V，1MHz
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
¥21.54
Diodes 二极管-整流器-阵列 DIODE ARRAY SBR 45V 15A ITO220AB
京电港自营
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SBR®
1 对共阴极
超级势垒
15A
550mV @ 15A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
-65°C ~ 150°C
通孔
-
SBR3045CTFP
ITO-220AB
TO-220-3 全封装，隔离接片
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周

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