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ON Semiconductor/Fairchild
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Roving Networks / Microchip
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IST INNOVATIVE SENSOR TECHNOLOGY
Fagor Electronica/法格
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DAWIN Electronics
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台湾积体电路
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP
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3.72
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
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Diodes 变容器,可变电抗器 DIODE VARACTOR 25V 22PF SC70-3
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3.84
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
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7.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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4.80
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
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1.14
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
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2.82
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 70V 1A SMB
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14.88
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 300V 0.5A E-LINE
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11.73
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
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Diodes TVS 二极管 DIODE 58.1VWM 92VC DO15
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
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5.64
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
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Diodes 晶闸管 表面贴装 THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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22.23
Diodes 二极管-桥式整流器 RECTIFIER BRIDGE 600V 1.5A DF-S
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
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Diodes 二极管-桥式整流器 RECTIFIER BRIDGE 15A 50V MB-35
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1.26
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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产品详情
容差
反向漏电流
正向电压
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
速度
峰值反向电流
工作温度
产品类型
技术类型
峰值反向重复电压
峰值平均正向电流
峰值正向电压
产品包装
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
产品系列
不同 Vr,F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
二极管类型
不同 Vr,F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
电压导通
电压断态
电流峰值脉冲(8/20μs)
电流峰值脉冲(10/1000μs)
电容
安装类型
原产地
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
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型号
ZXTDBM832TA
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP
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ZXTDBM832TA
2 NPN(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.5A
20V
270mV @ 125mA,4.5A
25nA
200 @ 2A,2V
1.7W
140MHz
-
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3.72
另提供行业标准包装
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型号
DMN4020LFDE-13
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3.72
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
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-55°C ~ 150°C(TJ)
DMN4020LFDE-13
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
19.1nC @ 20V
1060pF @ 20V
±20V
-
660mW(Ta)
20 毫欧 @ 8A,10V
-
表面贴装
-
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另提供行业标准包装
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型号
ZMDC832TA
询价
Diodes 变容器,可变电抗器 DIODE VARACTOR 25V 22PF SC70-3
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ZMDC832TA
SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
24.2pF @ 2V,1MHz
6.5
C2/C20
25V
1 对共阴极
200 @ 3V,50MHz
SC-70,SOT-323
表面贴装
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型号
1N5232B-T
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Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
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±5%
5µA @ 3V
1.1V @ 200mA
-65°C ~ 200°C
1N5232B-T
DO-35
DO-204AH,DO-35,轴向
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
通孔
-
¥
7.53
另提供行业标准包装
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型号
DMC2020USD-13
¥
7.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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DMC2020USD-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
-
1.8W
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
7.8A,6.3A
20 毫欧 @ 7A,4.5V
1.5V @ 250µA
11.6nC @ 4.5V
1149pF @ 10V
¥
4.80
另提供行业标准包装
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型号
SBR10B45P5-7
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4.80
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
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超级势垒
10A
550mV @ 10A
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
380µA @ 45V
-55°C ~ 150°C
SBR10B45P5-7
PowerDI®5
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
SBR®
-
PowerDI™ 5
表面贴装
-
¥
1.14
另提供行业标准包装
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型号
BZT52C4V7S-7-F
¥
1.14
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
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±6%
3µA @ 2V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
BZT52C4V7S-7-F
SOD-323
SC-76,SOD-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
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另提供行业标准包装
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型号
ZDM4206NTC
询价
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
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ZDM4206NTC
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
2.75W
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
60V
1A
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
¥
2.82
另提供行业标准包装
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型号
B170BQ-13-F
¥
2.82
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SCHOTTKY 70V 1A SMB
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肖特基
1A
790mV @ 1A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
500µA @ 70V
-65°C ~ 150°C
B170BQ-13-F
DO-214AA(SMB)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
汽车级,AEC-Q101
80pF @ 4V,1MHz
DO-214AA,SMB
表面贴装
-
¥
14.88
另提供行业标准包装
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型号
ZTX457
¥
14.88
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 300V 0.5A E-LINE
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ZTX457
NPN
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
300V
300mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
50 @ 50mA,10V
1W
75MHz
通孔
-
¥
11.73
另提供行业标准包装
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型号
ZXMN0545G4TA
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11.73
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
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-55°C ~ 150°C(TJ)
ZXMN0545G4TA
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
3V @ 1mA
-
70pF @ 25V
±20V
-
2W(Ta)
50 欧姆 @ 100mA,10V
-
表面贴装
-
¥
9.51
另提供行业标准包装
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9.51
Diodes TVS 二极管 DIODE 58.1VWM 92VC DO15
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12.84
另提供行业标准包装
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型号
FMMT493QTA
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12.84
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
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FMMT493QTA
NPN
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
1A
100V
600mV @ 100mA,1A
100nA
100 @ 250mA,10V
500mW
150MHz
表面贴装
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¥
5.64
另提供行业标准包装
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型号
DMP3036SFG-7
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5.64
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
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-55°C ~ 150°C(TJ)
DMP3036SFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
1931pF @ 15V
±25V
-
950mW(Ta)
20 毫欧 @ 8A,10V
-
表面贴装
-
¥
0.00
另提供行业标准包装
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型号
TB1300M-13-F
询价
Diodes 晶闸管 表面贴装 THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB
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TB1300M-13-F
DO-214AA,SMB
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
160V
120V
250A
50A
90pF
表面贴装
-
¥
1.44
另提供行业标准包装
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型号
DDTA114TE-7-F
¥
1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
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DDTA114TE-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
100mA
10k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 100µA,1mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
¥
22.23
另提供行业标准包装
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型号
DF1506S
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22.23
Diodes 二极管-桥式整流器 RECTIFIER BRIDGE 600V 1.5A DF-S
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10µA @ 600V
单相
标准
600V
1.5A
1.1V @ 1.5A
散装
DF1506S
DF-S
4-SMD,鸥翼型
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
表面贴装
-
¥
5.40
另提供行业标准包装
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型号
MMBTA06-7-F
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5.40
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
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MMBTA06-7-F
NPN
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
80V
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
300mW
100MHz
表面贴装
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¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
MB1505W
询价
Diodes 二极管-桥式整流器 RECTIFIER BRIDGE 15A 50V MB-35
京电港自营
自营
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10µA @ 50V
单相
肖特基
50V
15A
1.1V @ 7.5A
散装
MB1505W
MB-W
4-方形,MB-W
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
通孔
-
¥
1.26
另提供行业标准包装
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型号
DCX114YU-7-F
¥
1.26
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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DCX114YU-7-F
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
10k
47k
68 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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