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容差
反向漏电流
正向电压
产品系列
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
峰值反向电流
不同 Vr,F 时的电容
封装类型
工作温度
系列
二极管配置
二极管类型
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
安装类型
原产地
配置
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
电压导通
电压断态
电流峰值脉冲(8/20μs)
电流峰值脉冲(10/1000μs)
电容
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
阻抗(最大值)(Zzt)
±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装型
1 对共阴极
3 V
DZ23C3V0-7-F
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
95 Ohms
±7%
20µA @ 1V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
BZT52C2V7S-7-F
SOD-323
SC-76,SOD-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SBR®
超级势垒
1A
900mV @ 1A
50µA @ 400V
-
POWERDI®123
-65°C ~ 150°C
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
SBR1U400P1-7
PowerDI™ 123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥9.36
自营
*
MMBZ5243BS-7
剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
±5%
50nA @ 21.2V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
DDZ9712-7
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
DDTC113TUA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-323
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
1k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 1mA,10mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
±5%
-65°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
1 对共阴极
-
-
DZ23C3V0-7
300mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DCX114YU-7-F
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
10k
47k
68 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
1 对共阴极
肖特基
15A
700mV @ 7.5A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
-65°C ~ 150°C
表面贴装
-
MBRB1535CT-T
TO-263AB(D²PAK)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
不受无铅要求限制/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SBR®
1 对共阴极
超级势垒
20A
860mV @ 20A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
-65°C ~ 175°C
通孔
-
SBR40U150CT
TO-220AB
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
标准
3A
1.15V @ 3A
10µA @ 400V
40pF @ 4V,1MHz
DO-214AA,SMB
-65°C ~ 150°C
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
S3GB-13-F
SMB
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
表面贴装
-
ZXMN3G32DN8TA
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
1.8W
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
5.5A
28 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
-
-
ZDT6758TA
NPN,PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
400V
500mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
40 @ 200mA,10V
2.75W
50MHz
SBR®
超级势垒
1A
500mV @ 1A
500µA @ 40V
-
DO-214AC,SMA
-65°C ~ 150°C
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
SBR1A40SA-13
SMA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
表面贴装
-
DMNH6021SPD-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
1.5W
2 个 N 沟道(双)
标准
60V
8.2A,32A
25 毫欧 @ 15A,10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
±5%
500nA @ 3.5V
-
-55°C ~ 150°C
-
表面贴装
-
GDZ6V8LP3-7
2-X3-DFN0603
2-XFDFN
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
-
ZXMP7A17GTA
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W(Ta)
160 毫欧 @ 2.1A,10V
-
表面贴装
-
ZX5T951GTA
PNP
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5.5A
60V
250mV @ 500mA,5A
20nA(ICBO)
100 @ 2A,1V
3W
120MHz
表面贴装
-
TB0640M-13
DO-214AA,SMB
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
77V
58V
250A
50A
140pF
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

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