|
CY8C4125AZI-473 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
48-TQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C22213-24SI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
16 |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 1x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
20-SOIC |
管件 |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
S6E1C11C0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-LQFP |
48-LQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1C11C0AGN20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,智能卡,UART/USART |
I²S,LVD,POR,PWM,WDT |
38 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
48-WFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C20434-12LQXI |
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
S6E1A12C0AGF20000 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,UART/USART |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
37 |
88KB(88K x 8) |
闪存 |
- |
6K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
52-LQFP |
52-LQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C4127LQI-BL473 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
蓝牙,掉电检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,智能卡,智能检测,WDT |
36 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
56-UFQFN 裸露焊盘 |
56-QFN(7x7) |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
MB9AFB44NBPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,EBI/EMI,I²C,UART/USART,USB |
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
83 |
288KB(288K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-LQFP |
100-LQFP(14x14) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
CY8C29466-24PVXIT |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
剪切带(CT) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
MB9BF566KPMC-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN,CSIO,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
33 |
544KB(544K x 8) |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 8x12b,A/D 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 125°C(TA) |
48-LQFP |
48-LQFP(7x7) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
CY8C22345-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 3x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
28-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
MB9AF314LAPMC1-G-JNE2 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
40MHz |
CSIO,I²C,LIN,UART/USART,USB |
DMA,LVD,POR,PWM,WDT |
51 |
256KB(256K x 8) |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 9x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
64-LQFP |
64-LQFP(10x10) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
CY8C4244AZI-443 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
48MHz |
I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART |
欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
36 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
48-TQFP(7x7) |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CY8C21634B-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-VFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
MB9AFAA2NPF-G-SNE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
20MHz |
CSIO,I²C,UART/USART |
LCD,LVD,POR,PWM,WDT |
84 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 16x12b,D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
100-BQFP |
100-PQFP(14x20) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C21634-24LTXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
28 |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
A/D 28x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
32-QFN 裸露焊盘(5x5) |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C24423A-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C24423A-24PXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-DIP(0.300",7.62mm) |
28-DIP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
CY8C28413-24PVXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
SPI,UART/USART |
LVD,POR,PWM,WDT |
24 |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x14b;D/A 4x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
28-SSOP |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
CY8C24423A-24SXI |
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
POR,PWM,WDT |
24 |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b;D/A 2x9b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
28-SOIC |
管件 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |