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原厂标准交货期
MT4VDDT3264HY-335F2
DDR SDRAM
256MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
333MT/s
200-SODIMM
PC28F512G18FE
表面贴装
-
-
EBGA
512Mbit
并行
64
32M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
32M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
-
¥107.52
自营
MT29F2G08ABAEAH4:E TR
-
非易失
闪存
FLASH - NAND
2Gb (256M x 8)
-
-
并联
2.7 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA(9x11)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT16HTF12864AY-53EB4
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
¥43.86
自营
N25Q064A13EF8H0F TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
64Mb (16M x 4)
8ms,5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFPN(6x5)(MLP8)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT4LSDT1664AY-133D1
SDRAM
128MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
133MHz
168-UDIMM
MT8HTF6464AY-667B8
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-UDIMM
N25Q064A13EF640E
表面贴装
-
-
MLP
64Mbit
SPI
8
4M x 16 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
4M
5ns
16Bit
6 x 5 x 0.85mm
5mm
-40 °C
85 °C
6mm
0.85mm
-
-
-
¥261.48
自营
N25Q00AA13GSF40G
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb (256M x 4)
8ms,5ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF6472Y-53EB2
DDR2 SDRAM
512MB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
MT18HTF25672Y-667A5
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
667MT/s
240-RDIMM
N25Q064A11ESE40F
表面贴装
-
-
SOIC W
64Mbit
SPI
8
8M x 8 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
8M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
¥151.08
自营
PF48F3000P0ZTQEA
Axcell™
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb (8M x 16)
65ns
65ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
88-TFBGA,CSPBGA
88-SCSP(8x10)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF12872AY-53EB1
DDR2 SDRAM
1GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-UDIMM
¥1179.75
自营
MT9VDDT6472AG-335D1
DDR SDRAM
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
167MHz
184-UDIMM
MT5VDDT872HG-265B2
DDR SDRAM
64MB
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
266MT/s
200-SODIMM
¥179.01
自营
JS28F512M29EWHA
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb (64M x 8,32M x 16)
110ns
110ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
56-TSOP(14x20)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MT18HTF25672DY-40EA1
DDR2 SDRAM
2GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400MT/s
240-RDIMM
MT18HVF12872Y-53EB1
DDR2 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
533MT/s
240-RDIMM
N25Q128A13ESE40F
表面贴装
-
-
SOIC W
128Mbit
SPI
8
16M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
16M
7ns
8Bit
5.49 x 5.49 x 1.91mm
5.49mm
-40°C
85°C
5.49mm
1.91mm
-
-
-
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