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频率
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最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥1.83
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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NPN，PNP
SBC846BPDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
380mW
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
MBT6429DW1T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
200mA
150mW
600mV @ 5mA，100mA
100nA
500 @ 100µA，5V
700MHz
¥18.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 126A SO8FL
京电港自营
自营
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NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
4.5V，10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥8.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 10A SOT223
京电港自营
自营
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NTF6P02T3G
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
20nC @ 4.5V
1200pF @ 16V
8.3W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，4.5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥5.01
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 6A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W（Ta）
34 毫欧 @ 3A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥1.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5233DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSVEMD4DXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143TPDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.73
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 2A SOT-23
京电港自营
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NPN
NSS40201LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
2A
460mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
115mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
150MHz
¥14.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
京电港自营
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NPN - 达林顿
BD679G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.5V @ 30mA，1.5A
500µA
750 @ 1.5A，3V
-
¥118.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 260V 15A TO-264
京电港自营
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PNP 二极管（隔离式）
NJL1302DG
-
通孔
TO-264
TO-264-5
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C（TJ）
3V @ 1A，10A
50µA（ICBO）
75 @ 5A，5V
30MHz
¥28.20
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 375V 1A TO220AB
京电港自营
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PNP
MJE5731AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
375V
1A
40W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1V @ 200mA，1A
1mA
30 @ 300mA，10V
10MHz
¥2.34
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
京电港自营
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2 PNP（双）
SMBT3906DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
40V
200mA
150mW
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
250MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP4
京电港自营
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7GHz
500mW
90 @ 20mA，5V
70mA
NPN
2SC5501A-4-TR-E
-
表面贴装
4-MCP
SC-82A，SOT-343
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
¥3.36
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 35V 3A CPH3
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CPH3455-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
1W（Ta）
104 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
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NTLJS4114NT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
13nC @ 4.5V
650pF @ 15V
700mW（Ta）
35 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A SCH6
京电港自营
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SCH1332-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥9.72
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 5A 600V DPAK
京电港自营
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NGTB05N60R2DT4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
-
600V
16A
20A
2V @ 15V，5A
56W
188µJ（开），60µJ（关）
标准
44ns/82ns
300V，5A，30 欧姆，15V
175°C（TJ）
¥1.26
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114YDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA144EDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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