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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
TIG052TS-TL-E
-
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400V
-
150A
5.5V @ 2.5V,150A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
2 NPN(双)
BC847CDXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143ZPDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5315DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5114DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5237DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTD4863NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.2A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
13.5nC @ 4.5V
990pF @ 12V
1.27W(Ta),36.6W(Tc)
9.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5230DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123JDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26GHz
120mW
70 @ 5mA,1V
40mA
NPN
EC4H09C-TL-H
-
表面贴装
4-ECSP1008
4-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMA6DXV5T5G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGB8207ANT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
365V
20A
50A
2.2V @ 3.7V,10A
165W
-
逻辑
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
2 PNP(双)
BC858CDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30V
100mA
500mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114EDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2GHz
200W
25 @ 3mA,1V
50mA
NPN
MPS5179RLRAG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
NGB8206N
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
管件
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
7 NPN 达林顿
MC1413DR2
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA124EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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