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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
TIG056BF
-
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
430V
-
240A
5V @ 15V,240A
30W
-
标准
46ns/140ns
320V,240A,10 欧姆,15V
150°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 NPN(双)
EMX2DXV6T5
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5316DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
-
50mA
NPN
NSVF2250WT1
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
NPN,PNP
BC847BPDXV6T1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45V
100mA
500mW
600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMA6DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5130DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
8 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5231DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2GHz
200W
25 @ 3mA,1V
50mA
NPN
MPS5179RLRPG
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4 NPN(四路)
MMPQ3904
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
200mA
800mW
200mV @ 1mA,10mA
50nA(ICBO)
75 @ 10mA,1V
300MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143TPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
40A(Ta)
4.5V,10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W(Tc)
16 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
TIG062E8-TL-H
-
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
400V
-
150A
8V @ 3V,100A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
3 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA113EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGB8206NG
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA143ZDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7GHz
500mW
90 @ 20mA,5V
70mA
2 NPN(双)
FH102A-TR-E
-
表面贴装
6-MCP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
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