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产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥520.77
自营
NTP8G202NG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Tc)
8V
2.6V @ 500µA
9.3nC @ 4.5V
760pF @ 400V
65W(Tc)
350 毫欧 @ 5.5A,8V
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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