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DAWIN Electronics
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AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
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106.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO264
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106.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO264
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106.65
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 40A 384W TO247
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108.42
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 650V 40A TO-247
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110.46
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 100A TO247
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112.95
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1350V 30A TO247
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AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO264
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112.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO264
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114.09
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 25A TO247-3
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114.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 260V 15A TO-264
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117.24
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 80A 384W TO247
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118.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 260V 15A TO-264
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125.58
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 100A 223W TO247
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126.72
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 160A TO247
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128.07
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 50A TO247
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131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 200V 16A TO3
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131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO3
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131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 16A TO3
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产品图片
产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
晶体管类型
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥
105.72
另提供行业标准包装
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型号
MJ11016G
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105.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
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MJ11016G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
120V
30A
200W
-55°C ~ 200°C(TJ)
NPN - 达林顿
4V @ 300mA,30A
1mA
1000 @ 20A,5V
4MHz
¥
106.65
另提供行业标准包装
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型号
MJL21196G
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106.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO264
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MJL21196G
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
250V
16A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
¥
106.65
另提供行业标准包装
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型号
MJL21195G
¥
106.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO264
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MJL21195G
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
250V
16A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
¥
106.65
另提供行业标准包装
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型号
NGTB20N120IHRWG
¥
106.65
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 40A 384W TO247
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NGTB20N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
沟槽型场截止
1200V
40A
120A
2.45V @ 15V,20A
384W
450µJ(关)
标准
-/235ns
600V,20A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
¥
108.42
另提供行业标准包装
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型号
NGTB40N65IHL2WG
¥
108.42
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 650V 40A TO-247
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NGTB40N65IHL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
650V
80A
160A
2.2V @ 15V,40A
300W
360µJ(关)
标准
-/140ns
400V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
¥
110.46
另提供行业标准包装
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型号
NGTB25N120FL3WG
¥
110.46
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 100A TO247
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NGTB25N120FL3WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
沟槽型场截止
1200V
100A
100A
2.4V @ 15V,25A
349W
1mJ(开),700µJ(关)
标准
15ns/109ns
600V,25A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
¥
112.95
另提供行业标准包装
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型号
NGTB30N135IHR1WG
¥
112.95
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1350V 30A TO247
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NGTB30N135IHR1WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1350V
60A
120A
3V @ 15V,30A
394W
630µA(关)
标准
-/200ns
600V,30A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
¥
112.95
另提供行业标准包装
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型号
MJL21193G
¥
112.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO264
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MJL21193G
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
250V
16A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
¥
112.95
另提供行业标准包装
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型号
MJL21194G
¥
112.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 250V 16A TO264
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MJL21194G
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
250V
16A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
¥
114.09
另提供行业标准包装
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型号
NGTB25N120FLWG
¥
114.09
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 25A TO247-3
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NGTB25N120FLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
沟槽型场截止
1200V
50A
200A
2.2V @ 15V,25A
192W
1.5mJ(开),950µJ(关)
标准
91ns/228ns
600V,25A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥
114.96
另提供行业标准包装
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型号
NJL3281DG
¥
114.96
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 260V 15A TO-264
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NJL3281DG
-
通孔
TO-264
TO-264-5
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
3V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
75 @ 5A,5V
30MHz
¥
117.24
另提供行业标准包装
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型号
NGTB40N120IHRWG
¥
117.24
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 80A 384W TO247
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NGTB40N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
沟槽型场截止
1200V
80A
120A
2.55V @ 15V,40A
384W
950µJ(关)
标准
-/230ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
¥
118.38
另提供行业标准包装
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型号
NJL1302DG
¥
118.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 260V 15A TO-264
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NJL1302DG
-
通孔
TO-264
TO-264-5
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP 二极管(隔离式)
3V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
75 @ 5A,5V
30MHz
¥
125.58
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NGTG50N60FWG
¥
125.58
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 100A 223W TO247
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NGTG50N60FWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟道
600V
100A
200A
1.7V @ 15V,50A
223W
1.1mJ(开),1.2mJ(关)
标准
117ns/285ns
400V,50A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥
126.72
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NGTB40N120FL3WG
¥
126.72
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 160A TO247
京电港自营
自营
对比
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NGTB40N120FL3WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
沟槽型场截止
1200V
160A
160A
2.3V @ 15V,40A
454W
1.6mJ(开),1.1mJ(关)
标准
18ns/145ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
¥
128.07
另提供行业标准包装
立即购买
型号
WPH4003-1E
¥
128.07
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
京电港自营
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对比
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WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Tc)
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W(Ta),55W(Tc)
10.5 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥
130.56
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NGTG50N60FLWG
¥
130.56
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 50A TO247
京电港自营
自营
对比
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NGTG50N60FLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
沟道
600V
100A
200A
1.9V @ 15V,50A
223W
1.1mJ(开),600µJ(关)
标准
116ns/292ns
400V,50A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥
131.64
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MJ15023G
¥
131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 200V 16A TO3
京电港自营
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对比
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MJ15023G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
200V
16A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
PNP
4V @ 3.2A,16A
500µA
15 @ 8A,4V
4MHz
¥
131.64
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MJ21193G
¥
131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 250V 16A TO3
京电港自营
自营
对比
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MJ21193G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
250V
16A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
PNP
4V @ 3.2A,16A
100µA
25 @ 8A,5V
4MHz
¥
131.64
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MJ15022G
¥
131.64
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 200V 16A TO3
京电港自营
自营
对比
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MJ15022G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
200V
16A
250W
-65°C ~ 200°C(TJ)
NPN
4V @ 3.2A,16A
500µA
15 @ 8A,4V
4MHz
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