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系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.55
自营
NVTR01P02LT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.3A(Ta)
2.5V,4.5V
1.25V @ 250µA
3.1nC @ 4V
225pF @ 5V
400mW(Ta)
220 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTA4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
450mV @ 250µA
2.1nC @ 4.5V
156pF @ 5V
301mW(Tj)
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
NTS2101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.4A(Ta)
1.8V,4.5V
700mV @ 250µA
6.4nC @ 5V
640pF @ 8V
290mW(Ta)
100 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
NTR4101PT1H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW(Ta)
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
自营
NVTR4503NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
135pF @ 15V
420mW(Ta)
110 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
自营
NTGS4141NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
12nC @ 10V
560pF @ 24V
500mW(Ta)
25 毫欧 @ 7A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥1.80
自营
NTNUS3171PZT5G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.2V,4.5V
1V @ 250µA
-
13pF @ 15V
125mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
表面贴装
SOT-1123
SOT-1123
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.97
自营
CPH3350-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
83 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.19
自营
3LN01SS-TL-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
SC-81(SSFP)
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.19
自营
3LP01SS-TL-E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.43nC @ 10V
7.5pF @ 10V
150mW(Ta)
10.4 欧姆 @ 50mA,4V
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.13A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW(Tj)
200 毫欧 @ 1.95A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥10.59
自营
NTGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
500mW(Ta)
65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
NTR4170NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
2.5V,10V
1.4V @ 250µA
4.76nC @ 4.5V
432pF @ 15V
480mW(Ta)
55 毫欧 @ 3.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥1.23
自营
NVR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23(TO-236AB)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NTA4001NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
238mA(Tj)
2.5V,4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW(Tj)
3 欧姆 @ 10mA,4.5V
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥520.77
自营
NTP8G202NG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Tc)
8V
2.6V @ 500µA
9.3nC @ 4.5V
760pF @ 400V
65W(Tc)
350 毫欧 @ 5.5A,8V
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥236.28
自营
NDUL09N150CG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
10V
4V @ 1mA
114nC @ 10V
2025pF @ 30V
3W(Ta),78W(Tc)
3 欧姆 @ 3A,10V
TO-3PF-3
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥128.07
自营
WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Tc)
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W(Ta),55W(Tc)
10.5 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥100.56
自营
2SK3747-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
3W(Ta),50W(Tc)
13 欧姆 @ 1A,10V
通孔
TO-3PF-3
SC-94
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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