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不同Id时的Vgs
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不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
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NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW（Ta）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.3A SO8FL
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NTMFS4943NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.3A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
20.9nC @ 10V
1401pF @ 15V
910mW（Ta），22.3W（Tc）
7.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 1A CPH3
京电港自营
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CPH3462-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.4nC @ 10V
155pF @ 20V
1W（Ta）
785 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.81
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
京电港自营
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NTRV4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.95A SOT23
京电港自营
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NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥11.25
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-363
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NTJS3157NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 4.5V
500pF @ 10V
1W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-23
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NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W（Tj）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.22
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-723
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NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW（Ta）
350 毫欧 @ 890mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 400MA SOT-23
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NTR0202PLT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
400mA（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
2.18nC @ 10V
70pF @ 5V
225mW（Ta）
800 毫欧 @ 200mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 1.7A SOT23
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NTR5198NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.7A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
182pF @ 25V
900mW（Ta）
155 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥96.72
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO247-3
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NGTB15N120FLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1200V
30A
120A
2.2V @ 15V，15A
156W
1.17mJ（开），550µJ（关）
标准
72ns/168ns
600V，15A，10 欧姆，15V
¥1.95
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 100MA 3CP
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5LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.57nC @ 10V
6.6pF @ 10V
250mW（Ta）
7.8 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 0.66A SOT-723
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NTK3139PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
660mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
170pF @ 16V
310mW（Ta）
480 毫欧 @ 780mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥90.63
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 600V 60A 167W TO247
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NGTG30N60FWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
沟道
600V
60A
120A
1.7V @ 15V，30A
167W
650µJ（开），650µJ（关）
标准
81ns/190ns
400V，30A，10 欧姆，15V
¥1.77
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 150MA MCP
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3LN01M-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
SC-70 / MCPH3
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 170MA SOT-23
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BSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥1.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 320MA SOT-23-3
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2V7002KT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
320mA（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
300mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥1.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
京电港自营
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2V7002LT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
115mA（Tc）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥0.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 200MA SOT-23
京电港自营
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BSS138LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
200mA（Ta）
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周

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