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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
7 NPN 达林顿
MC1413PG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
¥54.69
自营
BBS3002-DL-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4V,10V
-
280nC @ 10V
13200pF @ 20V
90W(Tc)
5.8 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
D²PAK(TO-263)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NVTA7002NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
154mA(Tj)
2.5V,4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW(Tj)
7 欧姆 @ 154mA,4.5V
表面贴装
SC-75
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥5.40
自营
NTMFS4927NCT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
8nC @ 4.5V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
SMUN5311DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN
SMMBT4401LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
40V
600mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
750mV @ 50mA,500mA
-
100 @ 150mA,1V
250MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5311DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
BD180G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
1A
30W
-65°C ~ 150°C(TJ)
800mV @ 100mA,1A
1mA(ICBO)
40 @ 150mA,2V
3MHz
NPN
BC847BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
MJL1302AG
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
75 @ 5A,5V
30MHz
¥14.43
自营
NPN
2SD1802S-E
-
通孔
TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
5A
1W
150°C(TJ)
0.5mV @ 100mA,2A
1µA(ICBO)
140 @ 100mA,2V
150MHz
2 PNP(双)
MBT3906DW1T2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
40V
200mA
150mW
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
250MHz
1.5GHz
200mW
100 @ 10mA,5V
70mA
NPN
15GN03CA-TB-E
-
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
150°C(TJ)
NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W(Tj)
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥8.79
自营
NTD6415ANLT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
23A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 250µA
35nC @ 10V
1024pF @ 25V
83W(Tc)
52 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥3.84
自营
MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGTG30N60FLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
600V
60A
120A
1.9V @ 15V,30A
250W
700µJ(开),280µJ(关)
标准
83ns/170ns
400V,30A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5133DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN
NJT4031NT1G
-
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
46 周
40V
3A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 300mA,3A
100nA(ICBO)
200 @ 1A,1V
215MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
EMD5DXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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