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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥1.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5214DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.81
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88-6
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
NSVT45010MW6T3G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.43
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS BRT 50V 100MA SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSVB143ZPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.27
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 15MA 6V MCP
京电港自营
自营
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5GHz
90mW
90 @ 1mA，1V
15mA
NPN
2SC4853A-4-TL-E
-
表面贴装
3-MCP
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
-
-
-
-
-
-
-
NSTB1003DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.50
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
京电港自营
自营
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NPN
SBC847CLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
京电港自营
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NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW（Ta）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥10.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 4A TO-225
京电港自营
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PNP
BD788G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
4A
15W
-65°C ~ 150°C（TJ）
2.5V @ 800mA，4A
100µA
40 @ 200mA，3V
50MHz
¥11.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 14.9A DPAK
京电港自营
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NVD5863NLT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.9A（Ta），82A（Tc）
4.5V，10V
3V @ 250µA
70nC @ 10V
3850pF @ 25V
3.1W（Ta），96W（Tc）
7.1 毫欧 @ 41A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥92.67
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
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NPN - 达林顿
MJ11012G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
30A
200W
-55°C ~ 200°C（TJ）
4V @ 300mA，30A
1mA
1000 @ 20A，5V
4MHz
¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.5A SCH6
京电港自营
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SCH1433-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW（Ta）
64 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥15.33
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 6A TO-220AB
京电港自营
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PNP
TIP42AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
60V
6A
2W
-65°C ~ 150°C（TJ）
1.5V @ 600mA，6A
700µA
15 @ 3A，4V
3MHz
¥81.24
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1200V 25A TO-247
京电港自营
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NGTG25N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1200V
50A
100A
2.4V @ 15V，25A
385W
1.95mJ（开），600µJ（关）
标准
87ns/179ns
600V，25A，10 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥1.38
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
京电港自营
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2 PNP（双）
NST3906DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
200mA
500mW
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
250MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC124EDXV6T5G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.31
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO VHF-UHF SSFP
京电港自营
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7GHz
100mW
90 @ 20mA，5V
70mA
NPN
2SC5488A-TL-H
-
表面贴装
3-SSFP
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
150°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
京电港自营
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NPN
BCW66GLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
45V
800mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
700mV @ 50mA，500mA
20nA
160 @ 100mA，1V
100MHz
¥3.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 2A SOT89-3
京电港自营
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PNP
2SA2202-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
2A
1.3W
150°C（TJ）
240mV @ 100mA，1A
1µA（ICBO）
200 @ 100mA，5V
300MHz
¥30.21
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 500V 12A TO-220FP
京电港自营
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NDF11N50ZG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Tc）
10V
4.5V @ 100µA
69nC @ 10V
1645pF @ 25V
39W（Tc）
520 毫欧 @ 4.5A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周

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