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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
NPN - 达林顿
BDX33CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
10A
70W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 6mA,3A
500µA
750 @ 3A,3V
-
2 NPN(双)
EMX1DXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
50V
100mA
500mW
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
180MHz
150MHz
200mW
70 @ 1mA,10V
30mA
NPN
MSC2295-BT1G
-
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
5HP01M-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
70mA(Ta)
4V,10V
-
1.32nC @ 10V
6.2pF @ 10V
150mW(Ta)
22 欧姆 @ 40mA,10V
表面贴装
3-MCP
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTS2101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.4A(Ta)
1.8V,4.5V
700mV @ 250µA
6.4nC @ 5V
640pF @ 8V
290mW(Ta)
100 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥3.00
自营
CPH3351-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6nC @ 10V
262pF @ 20V
1W(Ta)
250 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.95
自营
NGTB03N60R2DT4G
-
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
-
600V
9A
12A
2.1V @ 15V,3A
49W
50µJ(开),27µJ(关)
标准
27ns/59ns
300V,3A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSVMUN5212DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
-
NSB1706DMW5T1
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
BC817-16LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
700mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,1V
100MHz
NPN
MJD200T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
25V
5A
1.4W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.8V @ 1A,5A
100nA(ICBO)
45 @ 2A,1V
65MHz
PNP - 达林顿
2N6034G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
4A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
3V @ 40mA,4A
100µA
750 @ 2A,3V
-
PNP
MCH6101-TL-E
-
表面贴装
6-MCPH
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
15V
1.5A
1W
150°C(TJ)
180mV @ 15mA,750mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
430MHz
2 PNP(双)
BC857BDW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
45V
100mA
380mW
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
4 NPN(四路)
MMPQ2222AR1
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
40V
500mA
1W
1V @ 50mA,500mA
50nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
350MHz
¥5.52
自营
NTD3055-094T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
10V
4V @ 250µA
20nC @ 10V
450pF @ 25V
1.5W(Ta),48W(Tj)
94 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥22.59
自营
NTMFS4934NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17.1A(Ta),147A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
34nC @ 4.5V
5505pF @ 15V
930mW(Ta),69.44W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
自营
NTTFS4C25NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta),27A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW(Ta), 20.2W(Tc)
17 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
NGB8206NT4
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V,20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V,9A,1 千欧,5V
-55°C ~ 175°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA124EDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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