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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
7GHz
150mW
135 @ 20mA,5V
70mA
NPN
2SC5226A-5-TL-E
-
表面贴装
3-MCP
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
150°C(TJ)
BSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
NTNS3193NZT5G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
224mA(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
15.8pF @ 15V
120mW(Ta)
1.4 欧姆 @ 100mA,4.5V
表面贴装
3-XLLGA(0.62x0.62)
3-XFLGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.27
自营
SCH1430-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.8V,4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW(Ta)
125 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥49.05
自营
NGTB35N60FL2WG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
沟槽型场截止
600V
70A
120A
2V @ 15V,35A
300W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5335DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP
2SA2153-TD-E
-
表面贴装
PCP
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
50V
2A
1.3W
150°C(TJ)
400mV @ 50mA,1A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
420MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC144EPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN
MJB41CT4G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
100V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
PNP
BC857CWT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
45V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
MJL4302AG
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
350V
15A
230W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1V @ 800mA,8A
100µA
80 @ 5A,5V
35MHz
PNP - 达林顿
BDV64BG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
100V
10A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
2V @ 20mA,5A
1mA
1000 @ 5A,4V
-
2 PNP(双)
NSVEMT1DXV6T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
100mA
500mW
500mV @ 5mA,50mA
500pA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
140MHz
5.2GHz
100mW
110 @ 7mA,3V
100mA
NPN
2SC5374A-TL-E
-
表面贴装
SMCP
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
NTD4904NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
13A(Ta),79A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
41nC @ 10V
3052pF @ 15V
1.4W(Ta),52W(Tc)
3.7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NTS4173PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.2A(Ta)
2.5V,10V
1.5V @ 250µA
10.1nC @ 10V
430pF @ 15V
290mW(Ta)
150 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥4.62
自营
MCH3374-TL-E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4V
-
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NGTB20N120IHLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1200V
40A
200A
2.2V @ 15V,20A
192W
700µJ(关)
标准
-/235ns
600V,20A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
MMBTA05LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
60V
500mA
225mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
250mV @ 10mA,100mA
100nA
100 @ 100mA,1V
100MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
357mW
-
NSVB143TPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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