我的购物车 0
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
全部商品分类
无源元件及半导体器件
半导体
晶体管
Diodes Incorporated
更多选项
综合 销量 新品 评论数 价格
 ~ 
清空 确定
11/83

1653 符合条件

已选择条件
移除所有
产品图片
产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN3135LVT-7
-
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
3.5A
60 毫欧 @ 3.1A，10V
2.2V @ 250µA
4.1nC @ 4.5V
305pF @ 15V
840mW
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMG6968UDM-7
-
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
6.5A
24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
900mV @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
143pF @ 10V
850mW
¥2.55
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V SOT963
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMC2990UDJ-7
-
表面贴装
SOT-963
SOT-963
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
450mA，310mA
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
27.6pF @ 15V
350mW
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN2400UV-7
-
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
1.33A
480 毫欧 @ 200mA，5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
36pF @ 16V
530mW
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
BSS84DW-7-F
-
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
130mA
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
300mW
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN5L06VK-7
-
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
280mA
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN61D9UDW-7
-
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
350mA
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
320mW
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN26D0UDJ-7
-
表面贴装
SOT-963
SOT-963
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
240mA
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1.05V @ 250µA
-
14.1pF @ 15V
300mW
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMG6602SVT-7
-
表面贴装
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
3.4A，2.8A
60 毫欧 @ 3.1A，10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
¥11.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V SOT363
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMG1016UDW-7
-
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A，845mA
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
¥3.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN2016LFG-7
-
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
5.2A
18 毫欧 @ 6A，4.5V
1.1V @ 250µA
16nC @ 4.5V
1472pF @ 10V
770mW
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN1029UFDB-7
-
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2 个 N 沟道（双）
标准
12V
5.6A
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
19.6nC @ 8V
914pF @ 6V
1.4W
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMP1046UFDB-7
-
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2 个 P 沟道（双）
标准
12V
3.8A
61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
17.9nC @ 8V
915pF @ 6V
1.4W
¥6.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMT3008LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14nC @ 10V
886pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
10 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN30H4D0LFDE-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，10V
2.8V @ 250µA
7.6nC @ 10V
187.3pF @ 25V
±20V
-
630mW（Ta）
4 欧姆 @ 300mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.45
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMP2006UFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
200nC @ 10V
7500pF @ 10V
±10V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN3027LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
11.3nC @ 10V
580pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
18.6 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN3027LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
11.3nC @ 10V
580pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
18.6 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN3008SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN3008SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

猜你喜欢

  • 客服中心
对比栏

1

您还可以继续添加

2

您还可以继续添加

3

您还可以继续添加

4

您还可以继续添加
清空对比栏 隐藏
七天包退
正品保障
好评如潮
闪电发货
权威荣誉
400-010-6659
咨询客服

新手上路

购物流程

会员中心

会员介绍

订单管理

京电港
三河科丰

首页 隐私保护 购物流程 联系我们 商城优势 公司简介 特色服务 配送方式 商家入驻 EDI经营许可证 帮助中心

（三鼎）sanding风机旗舰店 山洋电气 九龙风机旗舰店 （卡固）卡固KAKU风机旗舰店 快递查询

© 2018-2024 www.cnecport.com 版权所有  ICP备案证书号:冀ICP备15030269号 POWERED by京电港商城

 

领取成功！感谢您的参与，祝您购物愉快~

本活动为概率性事件，不能保证所有客户成功领取优惠券