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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥6.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
京电港自营
自营
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ZVN4106FTA
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
35pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2.5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTC144VKA-7-F
NPN - 预偏压
10k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
33 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥3.57
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89
京电港自营
自营
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BST52TA
NPN - 达林顿
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
80V
1.3V @ 500µA，500mA
10µA
1000 @ 150mA，10V
1W
-
表面贴装
-
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
京电港自营
自营
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DMC1016UPD-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
2.3W
-
N 和 P 沟道
标准
12V，20V
9.5A， 8.7A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
32nC @ 8V
1454pF @ 6V
¥14.19
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
京电港自营
自营
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FMMT723TA
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
100V
330mV @ 150mA，1A
100nA
250 @ 500mA，10V
625mW
200MHz
表面贴装
-
¥10.38
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
京电港自营
自营
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DMMT5551S-7-F
2 NPN（双）配对
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
200mA
160V
200mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
80 @ 10mA，5V
300mW
300MHz
-
¥19.17
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX618
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
3.5A
20V
255mV @ 50mA，3.5A
100nA
300 @ 200mA，2V
1W
140MHz
通孔
-
¥1.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
京电港自营
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DMN2300UFB4-7B
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
500mW（Ta）
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥5.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMN3052LSS-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.2V @ 250µA
-
555pF @ 5V
±12V
-
2.5W（Ta）
30 毫欧 @ 7.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
京电港自营
自营
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DMN2320UFB4-7B
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
0.89nC @ 4.5V
71pF @ 10V
±8V
-
520mW（Ta）
320 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.5A
京电港自营
自营
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MMBF170Q-13-F
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
-
40pF @ 10V
±20V
-
300mW（Ta）
5 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
京电港自营
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DDA122LH-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
220
10k
56 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
200MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
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DDTA123JE-7-F
PNP - 预偏压
47k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
2.2k
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA143FCA-7-F
PNP - 预偏压
22k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
4.7k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC114YCA-7
NPN - 预偏压
47k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
10k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥29.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 300V 1A E-LINE
京电港自营
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ZTX957
PNP
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
300V
200mV @ 300mA，1A
50nA（ICBO）
100 @ 500mA，10V
1.2W
85MHz
通孔
-
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
京电港自营
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DMN2016UTS-13
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
880mW
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
8.58A
14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1V @ 250µA
16.5nC @ 4.5V
1495pF @ 10V
¥1.98
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 2A SOT-23
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DSS4320T-7
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
20V
310mV @ 300mA，3A
100nA（ICBO）
220 @ 1A，2V
600mW
100MHz
表面贴装
-
¥9.30
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 200V 2A SOT89
京电港自营
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ZXTP03200BZTA
PNP
SOT-89
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
2A
200V
260mV @ 400mA，2A
50nA（ICBO）
100 @ 1A，5V
1.1W
105MHz
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
京电港自营
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ZDM4206NTA
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
2.75W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
1A
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V

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