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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMT6016LSS-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
1.5W（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥2.94
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2230UQ-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
2.3nC @ 10V
188pF @ 10V
±12V
-
600mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2301L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 10V
±8V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
自营
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DDC142TU-7-F
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
470
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.41
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTB122LU-7-F
PNP - 预偏压
10k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
220
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DDTA142JE-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
470
56 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
200MHz
150mW
-
¥6.27
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
京电港自营
自营
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ZXMN3F31DN8TA
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
-
表面贴装
1.8W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
5.7A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA114TCA-7
PNP - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
10k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥1.98
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 2A SOT-563
京电港自营
自营
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DSS4220V-7
NPN
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
2A
20V
350mV @ 200mA，2A
100nA
200 @ 1A，2V
600mW
260MHz
表面贴装
-
¥19.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 5.5A SOT23F-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXTP19020DFFTA
PNP
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
5.5A
20V
175mV @ 550mA，5.5A
50nA（ICBO）
300 @ 100mA，2V
1.5W
176MHz
表面贴装
-
¥9.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
京电港自营
自营
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DMNH6022SSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
表面贴装
1.5W
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
7.1A，22.6A
27 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
2127pF @ 25V
¥17.16
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 4A SOT23-6
京电港自营
自营
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ZXT13P12DE6TA
PNP
SOT-23-6
SOT-23-6
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4A
12V
175mV @ 400mA，4A
100nA
300 @ 1A，2V
1.1W
55MHz
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 60V 2A SM8
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZDT651TA
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
60V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
2.75W
175MHz
-
¥2.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMN3053L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥21.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI
京电港自营
自营
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DMP4015SPS-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.3W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥14.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
京电港自营
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DMNH10H028SK3-13
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.3V @ 250µA
36nC @ 10V
2245pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
28 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
京电港自营
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DMN10H170SVT-13
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
1.2W（Ta）
160 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥9.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
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DCX124EU-7-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
22k
22k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
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DDTA144TCA-7
PNP - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA114GCA-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
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