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产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
原厂标准交货期
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
DDTB122LC-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
220
56 @ 50mA,5V
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA
200MHz
200mW
MMBT3906T-7
PNP
SOT-523
SOT-523
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
200mA
40V
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
250MHz
-
DMHC4035LSD-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
-
20 周
1.5W
2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
逻辑电平门
40V
4.5A,3.7A
45 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
12.5nC @ 10V
574pF @ 20V
ZXTN2038FTA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
1A
60V
500mV @ 100mA,1A
100nA
100 @ 500mA,5V
350mW
150MHz
-
ZXT690BKTC
NPN
TO-252-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
3A
45V
350mV @ 150mA,3A
20nA
150 @ 2A,2V
3.9W
-
-
ZXMC3A17DN8TC
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
-
1.25W
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
4.1A,3.4A
50 毫欧 @ 7.8A,10V
1V @ 250µA(最小)
12.2nC @ 10V
600pF @ 25V
FZT657TA
NPN
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
500mA
300V
500mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
50 @ 100mA,5V
2W
30MHz
-
ZDT605TC
2 NPN 达林顿(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
120V
1.5V @ 1mA,1A
10µA
2000 @ 1A,5V
2.75W
150MHz
-
DMN10H220L-13
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W(Ta)
220 毫欧 @ 1.6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
-
8 周
ZVN4424GTA
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.8V @ 1mA
-
200pF @ 25V
±40V
-
2.5W(Ta)
5.5 欧姆 @ 500mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
-
16 周
DMN10H099SK3-13
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
34W(Tc)
80 毫欧 @ 3.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
-
8 周
DMP3098LSS-13
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
±20V
-
2.5W(Ta)
65 毫欧 @ 5.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
-
20 周
DDA143TU-7
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
4.7k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
-
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DP0150ADJ-7
2 PNP(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
50V
300mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
120 @ 2mA,6V
300mW
80MHz
-
8 周
DDTA143TE-7
PNP - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
4.7k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
250MHz
150mW
DDTC142TU-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
8 周
100mA
470
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA(ICBO)
200MHz
200mW
DDTC143TKA-7-F
NPN - 预偏压
-
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
4.7k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,2.5mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
DSM80100M-7
PNP 二极管(隔离式)
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
500mA
80V
250mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
120 @ 10mA,1V
600mW
-
-
ZDM4306NTC
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
-
3W
2 个 N 沟道(双)
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
DZT658-13
NPN
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
500mA
400V
500mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
40 @ 200mA,10V
1W
50MHz
-
12 周
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