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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥9.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
京电港自营
自营
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DMN6066SSD-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
1.8W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
3.3A
66 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
¥2.01
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN
京电港自营
自营
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BC847BLP-7
NPN
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
250mW
100MHz
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
京电港自营
自营
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ZXMN6A11DN8TC
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
1.8W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
2.5A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
5.7nC @ 10V
330pF @ 40V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8
京电港自营
自营
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ZDT717TC
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2.5A
12V
220mV @ 50mA，2.5A
100nA
300 @ 100mA，2V
2.5W
110MHz
-
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
京电港自营
自营
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DMN10H220L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W（Ta）
220 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥17.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
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DMNH6008SPSQ-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
1.6W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
-
¥12.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
京电港自营
自营
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DMTH6010SK3Q-13
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
38.1nC @ 10V
2841pF @ 30V
±20V
-
3.1W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
-
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMS3012SFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
14.7nC @ 10V
4310pF @ 15V
±20V
肖特基二极管（体）
890mW（Ta）
10 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
京电港自营
自营
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DDA114YH-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
47k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.05
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
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DDTC115EUA-7
NPN - 预偏压
100k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
100k
82 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DDTA143FE-7-F
PNP - 预偏压
22k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
4.7k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
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DDTA123EKA-7-F
PNP - 预偏压
2.2k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
20 @ 20mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥3.06
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
京电港自营
自营
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DNLS320A-7
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
2A
20V
310mV @ 300mA，3A
100nA（ICBO）
220 @ 1A，2V
600mW
220MHz
表面贴装
-
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 4A SOT-223
京电港自营
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FZT1149ATA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4A
25V
350mV @ 140mA，4A
100nA
250 @ 500mA，2V
2.5W
135MHz
表面贴装
-
¥6.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMN30H4D0LFDE-13
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，10V
2.8V @ 250µA
7.6nC @ 10V
187.3pF @ 25V
±20V
-
630mW（Ta）
4 欧姆 @ 300mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥4.23
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
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FMMT619TA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
50V
220mV @ 50mA，2A
100nA
200 @ 1A，2V
625mW
165MHz
表面贴装
-
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
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DMC4029SSD-13
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
1.3W
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
7A，5.1A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
¥7.92
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN
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ZXTC6717MCTA
NPN，PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.5A，4A
15V，12V
310mV @ 50mA，4.5A / 310mV @ 150mA，4A
100nA
200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V
1.7W
120MHz，110MHz
-
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3
京电港自营
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DMN5L06WK-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
250mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V TSOT26
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DMP6110SVT-7
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
±20V
-
1.2W（Ta）
105 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
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