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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥7.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
京电港自营
自营
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ZXMN6A08E6TA
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 4.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥5.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
京电港自营
自营
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DMT3006LPS-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.3W（Ta）, 42W（Tc）
6 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
京电港自营
自营
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ZXMN6A07FTA
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
3.2nC @ 10V
166pF @ 40V
±20V
-
625mW（Ta）
250 毫欧 @ 1.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
京电港自营
自营
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DDA144EK-7-F
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
47k
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
-
250MHz
300mW
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTB122TU-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
220
100 @ 5mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
-
¥8.34
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA144VE-7
PNP - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
33 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
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DDTC143ECA-7
NPN - 预偏压
4.7k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
20 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥1.98
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 0.5A SC70-3
京电港自营
自营
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MMSTA05-7-F
NPN
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
500mA
60V
250mV @ 10mA，100mA
100nA
100 @ 100mA，1V
200mW
100MHz
表面贴装
-
¥14.19
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89
京电港自营
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FCX658ATA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
400V
200mV @ 10mA，100mA
100nA
35 @ 200mA，10V
1W
50MHz
表面贴装
-
¥10.38
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN060
京电港自营
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MMBT3906FZ-7B
PNP
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
200mA
40V
400mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
-
435mW
280MHz
表面贴装
-
¥10.59
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
京电港自营
自营
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DMC25D1UVT-7
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
1.3W
-
N 和 P 沟道
标准
25V，12V
500mA，3.9A
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.5V @ 250µA
0.9nC @ 10V
27.6pF @ 10V
¥2.49
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 80V 1A SOT223
京电港自营
自营
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BCP5616TA
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
80V
500mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
100 @ 150mA，2V
2W
150MHz
表面贴装
-
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 25A TO252
京电港自营
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DMNH6042SK3-13
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.8nC @ 10V
492pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 5A SOT223
京电港自营
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ZDT1147TA
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5A
12V
380mV @ 50mA，5A
100nA
250 @ 500mA，2V
2.75W
115MHz
-
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
京电港自营
自营
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DMN6070SFCL-7
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
606pF @ 20V
±20V
-
600mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥1.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
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MMBF170Q-7-F
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
-
40pF @ 10V
±20V
-
300mW（Ta）
5 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥40.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
京电港自营
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ZVN4310GTA
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
±20V
-
3W（Ta）
540 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥6.00
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 4.8A
京电港自营
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DMP6050SFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1293pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥9.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
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DDC124EU-7-F
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
22k
22k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥8.13
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
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DDTC113TUA-7
NPN - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
1k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
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