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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMN10H170SFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
660mW（Ta）
160 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
京电港自营
自营
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DMN3033LSNQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.5nC @ 5V
755pF @ 10V
±20V
-
1.4W（Ta）
30 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
京电港自营
自营
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DMN10H170SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14.9nC @ 10V
870.7pF @ 25V
±20V
-
940mW（Ta）
122 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3
京电港自营
自营
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DMN4040SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
±20V
-
1.71W（Ta）
30 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
京电港自营
自营
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DMN3018SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
京电港自营
自营
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ZXMN3A01ZTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5nC @ 10V
186pF @ 25V
±20V
-
970mW（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-89
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
京电港自营
自营
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DMN3016LPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
1.18W（Ta）
12 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
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DMN61D8LQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V，5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
±12V
-
390mW（Ta）
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMS3016SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
43nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.54W（Ta）
13 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
京电港自营
自营
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DMT3006LDK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
6.5 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
V-DFN3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
京电港自营
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DMN3018SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
京电港自营
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DMS2220LFDB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
632pF @ 10V
±12V
肖特基二极管（隔离式）
1.4W（Ta）
95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
京电港自营
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DMS3014SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
45.7nC @ 10V
2296pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
13 毫欧 @ 10.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
京电港自营
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DMS2120LFWB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
632pF @ 10V
±12V
肖特基二极管（隔离式）
1.5W（Ta）
95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-DFN3020B（3x2）
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.61
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
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DMN2114SN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 1mA
-
180pF @ 10V
±12V
-
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
京电港自营
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DMG4468LFG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
18.85nC @ 10V
867pF @ 10V
±20V
-
990mW（Ta）
15 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.30
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
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DMN2026UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
18.4nC @ 8V
887pF @ 10V
±10V
-
1.15W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
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DMN3730UFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
470mW（Ta）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
京电港自营
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DMP2069UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
9.1nC @ 4.5V
214pF @ 10V
±8V
-
530mW（Ta）
54 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
DFN2015H4-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
京电港自营
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DMP1096UCB4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
3.7nC @ 4.5V
251pF @ 6V
-5V
-
820mW（Ta）
102 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周

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