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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥24.51
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
京电港自营
自营
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DMTH6004SPSQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.1W（Ta），167W（Tc）
3.1 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6008SPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
3.3W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 9.4A
京电港自营
自营
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DMT10H010LPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3.5V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
1.2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥14.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
京电港自营
自营
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DMNH10H028SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.3V @ 250µA
36nC @ 10V
2245pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
28 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥35.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 20A TO252
京电港自营
自营
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DMNH4006SK3Q-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
4V @ 250µA
51nC @ 10V
2280pF @ 25V
20V
-
2.2W（Ta）
6 毫欧 @ 86A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
京电港自营
自营
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DMT3006LPS-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.3W（Ta）, 42W（Tc）
6 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
京电港自营
自营
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DMN3730UFB4-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
470mW（Ta）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
京电港自营
自营
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DMTH6016LPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
2.6W（Ta）, 37.5W（Tc）
16 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMP2066LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
820pF @ 15V
±12V
-
2.5W（Ta）
40 毫欧 @ 5.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥12.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
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DMP2123LQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
7.3nC @ 4.5V
443pF @ 16V
±12V
-
1.4W（Ta）
72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2028UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
18nC @ 8V
907pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.42
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
京电港自营
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DMP2035UVT-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.5V @ 250µA
23.1nC @ 4.5V
2400pF @ 10V
±12V
-
1.2W（Ta）
35 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.31
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN
京电港自营
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DMN25D0UFA-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
1.2V @ 250µA
0.36nC @ 4.5V
27.9pF @ 10V
8V
-
280mW（Ta）
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.18
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
京电港自营
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DMN3033LDM-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13nC @ 10V
755pF @ 10V
±20V
-
2W（Ta）
33 毫欧 @ 6.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
京电港自营
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DMN65D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.61
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
京电港自营
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DMN2112SN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.2V @ 1mA
-
220pF @ 10V
±8V
-
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
京电港自营
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DMN2100UDM-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
-
555pF @ 10V
±8V
-
1W（Ta）
55 毫欧 @ 6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
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DMP3050LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
10.5nC @ 10V
620pF @ 15V
±25V
-
1.7W（Ta）
45 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.15
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.33A
京电港自营
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DMP22D4UFA-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.7pF @ 15V
±8V
-
400mW（Ta）
1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN0806H4
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
京电港自营
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DMG4812SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
18.5nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.54W（Ta）
15 毫欧 @ 10.7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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