|
DMT10H015LFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
6V,10V |
3.5V @ 250µA |
33.3nC @ 10V |
1871pF @ 50V |
±20V |
- |
2W(Ta),35W(Tc) |
13.5 毫欧 @ 20A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMNH6012LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
35.2nC @ 10V |
1926pF @ 30V |
±20V |
- |
2W(Ta) |
12 毫欧 @ 25A,10V |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
ZXMN10A25GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
10V |
4V @ 250µA |
17nC @ 10V |
859pF @ 50V |
±20V |
- |
2W(Ta) |
125 毫欧 @ 2.9A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
ZVN2120GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
10V |
3V @ 1mA |
- |
85pF @ 25V |
±20V |
- |
2W(Ta) |
10 欧姆 @ 250mA,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMP4025LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
1.8V @ 250µA |
33.7nC @ 10V |
1640pF @ 20V |
±20V |
- |
1.52W(Ta) |
25 毫欧 @ 3A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMP2007UFG-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
2.5V,10V |
1.3V @ 250µA |
85nC @ 10V |
4621pF @ 10V |
±12V |
- |
2.3W(Ta) |
5.5 毫欧 @ 15A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMT3008LFDF-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
14nC @ 10V |
886pF @ 15V |
±20V |
- |
800mW(Ta) |
10 毫欧 @ 9A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
U-DFN2020-6 (Type F) |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMT3006LFG-7 |
|
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
22.6nC @ 10V |
1320pF @ 15V |
±20V |
- |
27.8W(Tc) |
6 毫欧 @ 12A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerVDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMN4008LFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3.3V,10V |
3V @ 250µA |
74nC @ 10V |
3537pF @ 20V |
±20V |
- |
1W(Ta) |
7.5 毫欧 @ 10A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMP2021UFDF-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
1.5V,4.5V |
1V @ 250µA |
59nC @ 8V |
2760pF @ 15V |
±8V |
- |
730mW(Ta) |
16 毫欧 @ 7A,4.5V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
U-DFN2020-6 (Type F) |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
ZVP2120GTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
10V |
3.5V @ 1mA |
- |
100pF @ 25V |
- |
- |
2W(Ta) |
25 欧姆 @ 150mA,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMTH6010SK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
10V |
4V @ 250µA |
38.1nC @ 10V |
2841pF @ 30V |
±20V |
- |
3.1W(Ta) |
8 毫欧 @ 20A,10V |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
DMTH6010LK3-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
41.3nC @ 10V |
2090pF @ 30V |
±20V |
- |
3.1W(Ta) |
8 毫欧 @ 20A,10V |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
表面贴装 |
TO-252,(D-Pak) |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
DMN15H310SE-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
5V,10V |
3V @ 250µA |
8.7nC @ 10V |
405pF @ 25V |
±20V |
- |
1.9W(Ta) |
310 毫欧 @ 1.5A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
DMTH8012LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
46.8nC @ 10V |
2051pF @ 40V |
±20V |
- |
2.6W(Ta) |
16 毫欧 @ 12A,10V |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
DMNH4011SPSQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
10V |
4V @ 250µA |
25.5nC @ 10V |
1405pF @ 20V |
±20V |
- |
2.5W(Ta),150W(Tc) |
10 毫欧 @ 50A,10V |
-55°C ~ 175°C(TJ) |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
DMT8012LFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
6V,10V |
3V @ 250µA |
34nC @ 10V |
1949pF @ 40V |
±20V |
- |
2.2W(Ta),30W(Tc) |
16 毫欧 @ 12A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
ZXMN2A02X8TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
2.5V,4.5V |
700mV @ 250µA |
18.6nC @ 4.5V |
1900pF @ 10V |
±20V |
- |
1.1W(Ta) |
20 毫欧 @ 11A,4.5V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
|
8-MSOP |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
ZVP4525ZTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3.5V,10V |
2V @ 1mA |
3.45nC @ 10V |
73pF @ 25V |
±40V |
- |
1.2W(Ta) |
14 欧姆 @ 200mA,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-89-3 |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
ZXMP7A17GQTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.5V,10V |
1V @ 250µA |
18nC @ 10V |
635pF @ 40V |
±20V |
- |
2W(Ta) |
160 毫欧 @ 2.1A,10V |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |