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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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原厂标准交货期
¥1.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.115A
京电港自营
自营
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DMN33D8LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1.5V @ 100µA
0.55nC @ 10V
48pF @ 5V
±20V
-
240mW（Ta）
5 欧姆 @ 10mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2305UXQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3068L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3406L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.2nC @ 10V
495pF @ 15V
±20V
-
770mW（Ta）
50 毫欧 @ 3.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMN53D0U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
37.1pF @ 25V
±12V
-
520mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
京电港自营
自营
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DMN26D0UT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
14.1pF @ 15V
±10V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMN65D8LFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
25pF @ 25V
±20V
-
430mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2301L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 10V
±8V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2046U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW（Ta）
72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.35
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
京电港自营
自营
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DMN62D0LFD-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4V
1V @ 250µA
500nC @ 4.5V
31pF @ 25V
±20V
-
480mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
京电港自营
自营
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DMN61D9U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.5A
京电港自营
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MMBF170Q-13-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
-
40pF @ 10V
±20V
-
300mW（Ta）
5 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523
京电港自营
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DMG1013T-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.622nC @ 4.5V
59.76pF @ 16V
±6V
-
270mW（Ta）
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
京电港自营
自营
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DMG1012T-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
280mW（Ta）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
京电港自营
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DMN63D1LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3099L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.08W（Ta）
65 毫欧 @ 3.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
京电港自营
自营
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DMN53D0LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
1.5V @ 100µA
1.2nC @ 10V
45.8pF @ 25V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 270mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
京电港自营
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DMN53D0L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
46pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
京电港自营
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DMN53D0U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
37.1pF @ 25V
±12V
-
520mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2301L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 10V
±8V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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