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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
自营
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DCX124EU-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
22k
22k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA124GUA-7
PNP - 预偏压
22k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTA143ZE-7
PNP - 预偏压
47k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTA143EKA-7-F
PNP - 预偏压
4.7k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
20 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMN2040LSD-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
2W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
7A
26 毫欧 @ 6A，4.5V
1.2V @ 250µA
-
562pF @ 10V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223
京电港自营
自营
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ZHB6792TC
2 个 NPN 2 个 PNP（H 桥）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
70V
750mV @ 50mA，2A
100nA（ICBO）
300 @ 100mA，2V
1.25W
100MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC114GE-7-F
NPN - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTA115GCA-7
PNP - 预偏压
100k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
82 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC115EE-7-F
NPN - 预偏压
100k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
100k
82 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
京电港自营
自营
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ZXMD63N03XTC
8-MSOP
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
1.04W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
2.3A
135 毫欧 @ 1.7A，10V
1V @ 250µA（最小）
8nC @ 10V
290pF @ 25V
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8
京电港自营
自营
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ZDT6702TC
NPN，PNP 达林顿（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1.75A
60V
1.28V @ 2mA，1.75A
500nA
5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V
2.75W
140MHz
-
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
京电港自营
自营
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DMN2013UFDE-7
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
25.8nC @ 8V
2453pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥0.57
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA125TUA-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
200k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 50µA，500µA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥0.57
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTC114GUA-7-F
NPN - 预偏压
10k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥0.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
京电港自营
自营
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2N7002-7-F
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
京电港自营
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DMN67D8L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
340mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
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DMN65D8LQ-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥0.69
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
京电港自营
自营
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DCX114EU-13R-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
10k
10k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
自营
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DMN67D8LW-13
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥0.72
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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DDTA143TUA-7-F
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
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