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电流连续漏极
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最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
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¥35.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 20A TO252
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
4V @ 250µA
51nC @ 10V
2280pF @ 25V
20V
-
2.2W（Ta）
6 毫欧 @ 86A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMNH4006SK3Q-13
表面贴装
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
TO-252，（D-Pak）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥37.20
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
18.9nC @ 4.5V
1900pF @ 10V
±12V
-
1.56W（Ta）
20 毫欧 @ 11A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
ZXMN2A02N8TA
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
京电港自营
自营
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ZDM4306NTA
-
表面贴装
SOT-223-8
SM8
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
3W
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 9.4A
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3.5V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
1.2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
DMT10H010LPS-13
-
表面贴装
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.24
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 50A POWERDI
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V @ 250µA
35.2nC @ 10V
1926pF @ 30V
-
1.6W（Ta）
11 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMNH6012SPSQ-13
表面贴装
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
3.3W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMNH6008SPS-13
-
表面贴装
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TO220AB
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMT10H010LCT
-
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥40.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
±20V
-
3W（Ta）
540 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
ZVN4310GTA
-
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥43.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
京电港自营
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ZXMHC10A07T8TA
-
表面贴装
SOT-223-8
SM8
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
标准
100V
1A，800mA
700 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
2.9nC @ 10V
138pF @ 60V
1.3W
¥46.65
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.3W（Ta）, 113W（Tc）
3.65 毫欧 @ 100A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
DMT6004SCT
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥73.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
京电港自营
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DI9952T
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 和 P 沟道
标准
30V
2.9A
-
-
-
-
2W
¥82.32
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
京电港自营
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FMMT413TD
-
NPN 雪崩模式
100mA
50V
150mV @ 1mA，10mA
100nA（ICBO）
50 @ 10mA，10V
330mW
150MHz
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥286.56
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 0.5A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX415
-
NPN 雪崩模式
500mA
100V
500mV @ 1mA，10mA
100nA（ICBO）
25 @ 10mA，10V
680mW
40MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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